| 講演名 | 1999/1/20 SiON系パッシベーション膜の0.35μmHIGFET特性への影響 大鹿 克志, 黒田 淳, 柳沢 寛, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | パッシベーション膜にSiON系絶縁膜を用いた0.35μmWSiゲートHIGFETの特性、及び信頼性を評価した。SiON膜は、プラズマCVD法にて形成し膜組成の指標としてSiON膜の屈折率を用いた。屈折率1.58のSiON膜を用いた場合、最も良好なFET特性が得られた。また信頼性の観点から、以前我々は同様の0.35μmHIGFETにおいて、ゲートドレイン逆バイアス印加ストレス試験にてゲートリーク電流の増大する劣化モードを報告した^<(1)(2)>が、同ストレス試験においても屈折率1.58のSiON膜を用いた場合、劣化が起こらないことを確認した。この原因は、分光エリプソ、オージェ分析、XPSの結果より、屈折率1.58のSiON膜が熱的に安定で、熱処理による膜組成変化、SiON/GaAs界面反応などがおこりにくいことによると考えられる。屈折率1.58以外の組成のSiON膜場合は、絶縁膜/GaAs界面にAs、AsO、As_2O_3、Ga_2O_3が形成され、これらがFET特性劣化を誘発すると考えた。 |
| 抄録(英) | We studied that the influence of SiON film composition on HIGFET characteristics. The SiON films investigated in the present study were deposited by plasma-enhanced CVD. We used the refractive index of the SiON films as indicator of film composition. We have reported, from the view point of reliability in HIGFET structure, that the gate leak current increases under a reverse gate-drain bias ^<(1)(2)>. Using the SiON film with a refractive index 1.58, we got the best HIGFET performance with no degradation mentioned above. These results are explained by thermal stability of SiON/GaAs interface, according to Spectroscopic Ellipsometry, X-ray Photoelectron Spectroscopy and Auger Electron Spectroscopy analysis. When the SiON films with a refractive indexes other than 1.58 were used, the above analyses indicate the formation of As, AsO, As_2O_3, Ga_2O_3 at the interface, which cause the degration of HIGFET characteristics. |
| キーワード(和) | HIGFET / SiON / パッシベーション / ゲートリーク電流 / 信頼性 / 界面反応 |
| キーワード(英) | HIGFET / SiON / passivation / gate leak current / reliability / interface reaction |
| 資料番号 | ED98-191,MW98-154,ICD98-258 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
|---|---|
| 開催期間 | 1999/1/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiON系パッシベーション膜の0.35μmHIGFET特性への影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The influence of SiON film composition on HIGFET characteristics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HIGFET / HIGFET |
| キーワード(2)（和/英） | SiON / SiON |
| キーワード(3)（和/英） | パッシベーション / passivation |
| キーワード(4)（和/英） | ゲートリーク電流 / gate leak current |
| キーワード(5)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| キーワード(6)（和/英） | 界面反応 / interface reaction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大鹿 克志 / Katsushi Ohshika |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所半導体事業部 Semiconductor and Integrated Circuit Division, Hitachi Ltd |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 黒田 淳 / Jun Kuroda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立超LSIシステムズ Hitachi ULSI Systems Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 柳沢 寛 / Hiroshi Yanazawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センター Device Development Center |
| 発表年月日 | 1999/1/20 |
| 資料番号 | ED98-191,MW98-154,ICD98-258 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 520 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |