講演名 | 1999/1/20 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上 国弘 和明, 高橋 裕之, 大野 泰夫, |
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抄録(和) | 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構を、2次元シミュレーターを用いて解析した。シミュレーションでは、2端子破壊に関与する衝突イオン化、トネリング、表面準位に対して、実験に基づいたモデルを使用している。シミュレーション結果は、2端子破壊で観測されるS字型負性抵抗や、通電ストレスによる耐圧の初期変動(walkout)を良く再現している。また、解析結果に基づいて、中性化したp層をチャネル下に埋め込んだFET構造を提案した。この構造では、p層が縦方向電界によってゲート-ドレイン間の電子を空乏化させ、ゲート端での電界集中を緩和するため、耐圧の向上が見込める。実際、p層を埋め込んだFETを試作した結果、従来構造に比べ2端子耐圧は大幅に向上していることを確認した。 |
抄録(英) | A realistic simulation scheme for improving off-state breakdown voltage(BV_ |
キーワード(和) | GaAs MESFET / 耐圧 / シミュレーター / 表面準位 / 衝突イオン化 / 埋め込みp層 |
キーワード(英) | GaAs MESFET / Breakdown / Simulator / Surface State / Impact Ionization / Buried p-Layer |
資料番号 | ED98-188,MW98-151,ICD98-255 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | MW |
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開催期間 | 1999/1/20(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Improvement of Off-State Breakdown Voltage in Power GaAs MESFETs by Inserting a Neutral p-Buffer Layer |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | GaAs MESFET / GaAs MESFET |
キーワード(2)(和/英) | 耐圧 / Breakdown |
キーワード(3)(和/英) | シミュレーター / Simulator |
キーワード(4)(和/英) | 表面準位 / Surface State |
キーワード(5)(和/英) | 衝突イオン化 / Impact Ionization |
キーワード(6)(和/英) | 埋め込みp層 / Buried p-Layer |
第 1 著者 氏名(和/英) | 国弘 和明 / K. Kunihiro |
第 1 著者 所属(和/英) | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device research Laboratories, NEC Corporation |
第 2 著者 氏名(和/英) | 高橋 裕之 / Y. Takahashi |
第 2 著者 所属(和/英) | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device research Laboratories, NEC Corporation |
第 3 著者 氏名(和/英) | 大野 泰夫 / Y. Ohno |
第 3 著者 所属(和/英) | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device research Laboratories, NEC Corporation |
発表年月日 | 1999/1/20 |
資料番号 | ED98-188,MW98-151,ICD98-255 |
巻番号(vol) | vol.98 |
号番号(no) | 520 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 8 |
発行日 |