講演名 1999/1/20
高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
国弘 和明, 高橋 裕之, 大野 泰夫,
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抄録(和) 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構を、2次元シミュレーターを用いて解析した。シミュレーションでは、2端子破壊に関与する衝突イオン化、トネリング、表面準位に対して、実験に基づいたモデルを使用している。シミュレーション結果は、2端子破壊で観測されるS字型負性抵抗や、通電ストレスによる耐圧の初期変動(walkout)を良く再現している。また、解析結果に基づいて、中性化したp層をチャネル下に埋め込んだFET構造を提案した。この構造では、p層が縦方向電界によってゲート-ドレイン間の電子を空乏化させ、ゲート端での電界集中を緩和するため、耐圧の向上が見込める。実際、p層を埋め込んだFETを試作した結果、従来構造に比べ2端子耐圧は大幅に向上していることを確認した。
抄録(英) A realistic simulation scheme for improving off-state breakdown voltage(BV_) in power GaAs MESFETs has been developed. In this scheme, impact ionization, tunneling, and surface charge dynamics are all considered. The simulation successfully describes experimentally observed breakdown behavior, i. e. the initial BV_ shift called "walkout" and S-type negative differential conductivity. Using the simulation results, we have developed an FET with a neutralized p-buffer layer that relaxes the electric-field concentration at the gate edge. It has been experimentally confirmed that this FET structure can significantly increase BV_ compared to conventional one.
キーワード(和) GaAs MESFET / 耐圧 / シミュレーター / 表面準位 / 衝突イオン化 / 埋め込みp層
キーワード(英) GaAs MESFET / Breakdown / Simulator / Surface State / Impact Ionization / Buried p-Layer
資料番号 ED98-188,MW98-151,ICD98-255
発行日

研究会情報
研究会 MW
開催期間 1999/1/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Microwaves (MW)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
サブタイトル(和)
タイトル(英) Improvement of Off-State Breakdown Voltage in Power GaAs MESFETs by Inserting a Neutral p-Buffer Layer
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) GaAs MESFET / GaAs MESFET
キーワード(2)(和/英) 耐圧 / Breakdown
キーワード(3)(和/英) シミュレーター / Simulator
キーワード(4)(和/英) 表面準位 / Surface State
キーワード(5)(和/英) 衝突イオン化 / Impact Ionization
キーワード(6)(和/英) 埋め込みp層 / Buried p-Layer
第 1 著者 氏名(和/英) 国弘 和明 / K. Kunihiro
第 1 著者 所属(和/英) NEC光・超高周波デバイス研究所
Optoelectronics and High Frequency Device research Laboratories, NEC Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 高橋 裕之 / Y. Takahashi
第 2 著者 所属(和/英) NEC光・超高周波デバイス研究所
Optoelectronics and High Frequency Device research Laboratories, NEC Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 大野 泰夫 / Y. Ohno
第 3 著者 所属(和/英) NEC光・超高周波デバイス研究所
Optoelectronics and High Frequency Device research Laboratories, NEC Corporation
発表年月日 1999/1/20
資料番号 ED98-188,MW98-151,ICD98-255
巻番号(vol) vol.98
号番号(no) 520
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日