| 講演名 | 1999/1/20 イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価 柳沢 昌輝, 中島 成, 櫻田 隆, 木山 誠, 澤田 真一, 中井 龍資, |
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| 抄録(和) | 化合物半導体デバイスのコスト低減に効果的な方法の一つとして、基板の大口径化が挙げられる。GaAsでは現在の4"φウエハの次の世代と目される6"φウエハの開発・生産が盛んだが、大口径化の際問題となるのは、転位密度、残留ひずみの増加である。Vertical Boat(VB)法は、従来のLEC法にくらべて転位密度が低く、残留ひずみの少ない基板を作製できることから、大口径GaAs基板の量産プロセスとして期待される。今回われわれは、VB法によってイオン注入プロセス用に作製した、半絶縁性GaAs基板の電気的特性を評価し、LEC基板と同等以上の特性を示すことを確認。VB法が、大口径GaAs基板の成長方法として有望であるとの結論を得た。 |
| 抄録(英) | The Vertical Boat(VB)method has advantages for manufacturring large diameter GaAs substrates, because of its low dislocation density and small residual strain. The electrical characterization of devices fabricated on VB GaAs substrates was demonstrated in this work. The VB substrate shows the same or better properties compared with the LEC substrate. We conclude that the VB GaAs substrate is expected to be suitable for ion-implantation device process with large diameter substrates. |
| キーワード(和) | 半絶縁性 / GaAs / LEC / VB / イオン注入 |
| キーワード(英) | semi-insulating / GaAs / LEC / VB / ion-implantation |
| 資料番号 | ED98-187,MW98-150,ICD98-254 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 1999/1/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device Characterization of Semi-Insulating GaAs Substrate Grown by Vertical Boat Method for Ion-Implantation Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半絶縁性 / semi-insulating |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | LEC / LEC |
| キーワード(4)（和/英） | VB / VB |
| キーワード(5)（和/英） | イオン注入 / ion-implantation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 柳沢 昌輝 / Masaki Yanagisawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R & D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中島 成 / Shigeru Nakajima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R & D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 櫻田 隆 / Takashi Sakurada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)伊丹研究所 Itami Research Laboratories, Sumitomo electric Industries, LTD. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 木山 誠 / Makoto Kiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)伊丹研究所 Itami Research Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 澤田 真一 / Shin-ichi Sawada |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)伊丹研究所 Itami Research Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中井 龍資 / Ryusuke Nakai |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)半導体事業部 Semiconductor Division, Sumitomo electric Industries, LTD. |
| 発表年月日 | 1999/1/20 |
| 資料番号 | ED98-187,MW98-150,ICD98-254 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 520 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |