| 講演名 | 1999/1/20 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性 末光 哲也, 石井 哲好, 横山 春喜, 楳田 洋太郎, 榎木 孝知, 石井 康信, 玉村 敏昭, |
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| 抄録(和) | ゲート長30nmのInP格子整合HEMTの作製と評価について報告する。30nmという微細なゲートパターンを形成するため, 電子線描画においてフラーレンを添加したナノコンポジットレジストを使用した。また, ゲート電極の広がりによる高周波特性の低下を防止するため, 2段階リセスゲート構造を用いた。得られたデバイスにおける電流利得遮断周波数の最高値は350GHzであり, これまで報告のあるあらゆるトランジスタの中でも最高の値のひとつである。 |
| 抄録(英) | The fabrication and the device characteristics of the InP-based HEMTs with a 30-nm gate are reported. A fullerene-incorporated nanocomposite resist is used in electron beam lithography to achieve such a small gate. In addition, the two-step-recess gate technology is used to minimize the effect of the extension of the gate metal. The maximum of the cutoff frequency of the 30-nm-gate HEMTs is 350 GHz, which is one of the highest ever reported for any kind of transistor. |
| キーワード(和) | InP / InGaAs / HEMT / 電子線描画 / 電流利得遮断周波数 |
| キーワード(英) | InP / InGaAs / HEMT / electron beam lighgraphy / cutoff frequency |
| 資料番号 | ED98-185,MW98-148,ICD98-252 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 1999/1/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 30-nm-Gate InAlAs/InGaAs HEMTs Lattice-Matched to InP Substrates and Their RF Characteristics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | 電子線描画 / electron beam lighgraphy |
| キーワード(5)（和/英） | 電流利得遮断周波数 / cutoff frequency |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 末光 哲也 / Tetsuya Suemitsu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石井 哲好 / Tetsuyoshi Ishii |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-Electronics Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 横山 春喜 / Haruki Yokoyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 楳田 洋太郎 / Yohtaro Umeda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 榎木 孝知 / Takatomo Enoki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石井 康信 / Yasunobu Ishii |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 玉村 敏昭 / Toshiaki Tamamura |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-Electronics Laboratories |
| 発表年月日 | 1999/1/20 |
| 資料番号 | ED98-185,MW98-148,ICD98-252 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 520 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |