| 講演名 | 1999/1/20 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用 岡 徹, 平田 宏治, 大内 潔, 内山 博幸, 谷口 隆文, 望月 和浩, 中村 徹, |
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| 抄録(和) | 外部コレクタ寄生領域がSiO_2で埋め込まれた構造を有する微細InGaP/GaAs HBTの高速動作性能を向上させるため, プロセスの改良およびデバイス構造の最適化を行った。埋め込みSiO_2領域で生じる寄生容量は従来比で約50%低減するっことができ, 単体の素子の性能としては, エミッタサイズS_E=0.5×4.5μm^2の素子においてコレクタ電流I_C=3.5mAで遮断周波数f_T=156GHz, 最大発振周波数f_ |
| 抄録(英) | We have achieved advanced high-frequency performance in small-scaled InGaP/GaAs HBT's due to the further reduction of the parasitic capacitance by refining the device design and the process technology. An f_T of 156 GHz and f_ |
| キーワード(和) | HBT / InGaP / GaAs / SiO_2 / 分周器 |
| キーワード(英) | HBT / InGaP / GaAs / SiO_2 / frequency divider |
| 資料番号 | ED98-183,MW98-146,ICD98-250 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 1999/1/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultra-high-speed Small-scaled InGaP/GaAs HBT's and their Circuit Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(2)（和/英） | InGaP / InGaP |
| キーワード(3)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(4)（和/英） | SiO_2 / SiO_2 |
| キーワード(5)（和/英） | 分周器 / frequency divider |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡 徹 / Tohru Oka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平田 宏治 / Koji Hirata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立超LSIエンジニアリング株式会社 Hitachi ULSI Engineering Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大内 潔 / Kiyoshi Ouchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 内山 博幸 / Hiroyuki Uchiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 谷口 隆文 / Takafumi Taniguchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 望月 和浩 / Kazuhiro Mochizuki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中村 徹 / Tohru Nakamura |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 法政大学工学部電気電子工学科 Department of Electronics and Electrical Engineering, Hosei University |
| 発表年月日 | 1999/1/20 |
| 資料番号 | ED98-183,MW98-146,ICD98-250 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 520 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |