講演名 | 1996/2/28 U帯高出力HEMT 小丸 真喜雄, 吉田 直人, 加藤 隆幸, 星 裕之, 采女 豊, 柏 卓夫, 紫村 輝之, 高木 直, |
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抄録(和) | 全ゲート幅Wgtが同じ場合に35GHzと60GHzで利得が最も高くなる単位ゲート幅Wguとフィンガ本数の組み合わせを解析するために各種ゲートフィンガ長の2フィンガPHEMTを等価回路解析し、その結果よりフィンガ本数の多いPHEMTの利得を、パターンレイアウトを考慮した回路モデルを導入して計算した。その結果単位ゲート幅40um、全ゲート幅400umの素子が性能面で有利であることを見い出した。そして、その素子の35GHzと60GHzの増幅回路を設計/試作して入出力特性を評価した結果35GHzにおいて、1dB圧縮点出力23.6dBm (229mW)、電力利得5.1dB、電力付加効率42.3%の優れた性能を達成した。また、60GHzでは、出力20.2dBm (105mW)、電力利得4.2dB、電力付加効率22.0%の性能を達成した。 |
抄録(英) | The optimum gate width and the number of the gate fingers of high power AlGaAs/InGaAs PHEMT for U-band high power amplifiers have been characterized by 2-finger PHEMTs's s-parameter measurements and equivarent circuits simulations of multi finger PHEMTs. From the results, we have selected a 40um × 10 finger device as the best gate periphery one, and designed an amplifier. The device delivered 23.6dBm output power with associated gain of 5.1dB and PAE of 42.3% at 35GHz, and 20.2dBm output power with associated gain of 4.2dB and PAE of 22% at 60GHz. |
キーワード(和) | PHEMT / ミリ波 / 高出力 / 高効率 / 増幅器 |
キーワード(英) | PHEMT / Millimeter Wave / High Power / High Efficiency / Amplifier |
資料番号 | MW95-196 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | MW |
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開催期間 | 1996/2/28(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
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幹事氏名(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | U帯高出力HEMT |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | U-band High Power HEMT |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | PHEMT / PHEMT |
キーワード(2)(和/英) | ミリ波 / Millimeter Wave |
キーワード(3)(和/英) | 高出力 / High Power |
キーワード(4)(和/英) | 高効率 / High Efficiency |
キーワード(5)(和/英) | 増幅器 / Amplifier |
第 1 著者 氏名(和/英) | 小丸 真喜雄 / M. Komaru |
第 1 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Mitsubishi Electric Corporation |
第 2 著者 氏名(和/英) | 吉田 直人 / N. Yoshida |
第 2 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Mitsubishi Electric Corporation |
第 3 著者 氏名(和/英) | 加藤 隆幸 / T. Katoh |
第 3 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Mitsubishi Electric Corporation |
第 4 著者 氏名(和/英) | 星 裕之 / H. Hoshi |
第 4 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Mitsubishi Electric Corporation |
第 5 著者 氏名(和/英) | 采女 豊 / U. Uneme |
第 5 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Mitsubishi Electric Corporation |
第 6 著者 氏名(和/英) | 柏 卓夫 / T. Kashiwa |
第 6 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Mitsubishi Electric Corporation |
第 7 著者 氏名(和/英) | 紫村 輝之 / T. Shimura |
第 7 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Mitsubishi Electric Corporation |
第 8 著者 氏名(和/英) | 高木 直 / T. Takagi |
第 8 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Mitsubishi Electric Corporation |
発表年月日 | 1996/2/28 |
資料番号 | MW95-196 |
巻番号(vol) | vol.95 |
号番号(no) | 546 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |