| 講演名 | 1996/2/28 誘電体円板を装荷した空洞共振器による準マイクロ波帯の複素誘電率測定法 中山 明, 福浦 篤臣, 西村 道明, |
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| 抄録(和) | 本論文では, 2GHzにおける誘電体材料の複素誘電率の非破壊測定法について述べる. 本研究で使用した共振器は, 45の比誘電率ε'を有する誘電体円板を左右対称に装荷した空洞共振器である. 空洞共振器は中央で分割され, その間に基板状の測定試料が挟持される. 試料の比誘電率ε'と誘電正接tanδはTE_<011>モードの共振周波数と無負荷Qから計算される. 様々な材料のε'とtanδを測定し, 他の空洞共振器による3, 10GHzの値と比較, 検討した. 本方法の測定誤差はε'においては1%以下, tanδにおいては2～3×10^<-5>である. |
| 抄録(英) | This paper describes a nondestructive measurement method for complex permittivity of dielectric material at 2 GHz. The resonator used in this study has a cylindrical cavity. Two dielectric plates are symmetrically loaded around the center of the cavity. These plates have high permittivity of 45. The resonator is divided into two parts at the center. A dielectric substrate specimen is clamped with these halves. Relative permittivity ε' and loss tangent tanδ of specimen are obtained from the resonant frequency and unloaded Q-value of the TE_<011> mode. Measured results of various materials are compared with values of 3 and 10 GHz using other cavity resonator method. The errors of the present method are smaller than 1% and 2-3×10^<-5> for ε' and tanδ, respectively. |
| キーワード(和) | 複素誘電率 / 測定法 / 準マイクロ波 / 空洞共振器 |
| キーワード(英) | Complex Permittivity / Measurement method / Pseud microwave / Cavity Resonator |
| 資料番号 | MW95-190 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 1996/2/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 誘電体円板を装荷した空洞共振器による準マイクロ波帯の複素誘電率測定法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Complex Permittivity Measurement Method at Pseud Microwave frequency Using a Dielectric Plate Loaded Cavity Resonator |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 複素誘電率 / Complex Permittivity |
| キーワード(2)（和/英） | 測定法 / Measurement method |
| キーワード(3)（和/英） | 準マイクロ波 / Pseud microwave |
| キーワード(4)（和/英） | 空洞共振器 / Cavity Resonator |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中山 明 / Akira Nakayama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京セラ株式会社 総合研究所 Kyocera R&D Center, Kagoshima |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福浦 篤臣 / Athuomi Fukuura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京セラ株式会社 総合研究所 Kyocera R&D Center, Kagoshima |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 西村 道明 / Michiaki Nishimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京セラ株式会社 総合研究所 Kyocera R&D Center, Kagoshima |
| 発表年月日 | 1996/2/28 |
| 資料番号 | MW95-190 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 546 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |