講演名 1996/6/27
高出力・高効率K帯HBT
田中 慎一, 村上 誠一, 天宮 泰, 嶋脇 秀徳, 間々田 正行, 後藤 典夫, 本城 和彦,
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抄録(和) K帯で動作する高出力HBTを実現するためには、単体エミッタの最大発振周波数(f_)を向上させ、更にそれを最大限に活かす最適素子レイアウトを検討する必要がある。本報告では、外部べース層を選択再成長してベース抵抗を低減することにより高f_化を図り、さらに幾つかの接地構成やエミッタの寸法・構造について特性の比較評価を行った。その結果、最適構造のベース接地型HBTにおいて、25GHzで飽和出力740mW(電力密度4.0mW/μm^2)、付加電力効率42%という良好な基本セル性能が得られた。本結果より今後HBTのK帯応用の進展が期待される。
抄録(英) We describe the power performance of a single-cell HBT chip with excellent power-added efficiency (PAE) and power density at 25-26 GHz. An epitaxial regrowth technique is applied to improve the f_ of HBT by reducing the base resistance. We demonstrate that at K-band both PAE and power density depend significantly on cell design. The optimized common base cell exhibited excellent power-density of 4.0 mW/μm^2 (740 mW per cell) as well as 42% PAE at 25GHz. The power density compares well with the best data reported at lower frequency bands, thereby showing great potential for high-power, high-efficiency HBTs at K-bands.
キーワード(和) HBT / 高出力素子 / ベース接地 / マイクロ波 / 付加電力効率
キーワード(英) HBT / Power Amplifier / Common Base / Microwave / Power-Added Efficiency
資料番号 MW96-43,OPE96-23
発行日

研究会情報
研究会 MW
開催期間 1996/6/27(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Microwaves (MW)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 高出力・高効率K帯HBT
サブタイトル(和)
タイトル(英) High-Power, High-Efficiency K-Band Power HBTs
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) HBT / HBT
キーワード(2)(和/英) 高出力素子 / Power Amplifier
キーワード(3)(和/英) ベース接地 / Common Base
キーワード(4)(和/英) マイクロ波 / Microwave
キーワード(5)(和/英) 付加電力効率 / Power-Added Efficiency
第 1 著者 氏名(和/英) 田中 慎一 / Shinichi Tanaka
第 1 著者 所属(和/英) NECマイクロエレクトロニクス研究所
Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 村上 誠一 / Seiichi Murakami
第 2 著者 所属(和/英) NECマイクロエレクトロニクス研究所
Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 天宮 泰 / Yasushi Amamiya
第 3 著者 所属(和/英) NECマイクロエレクトロニクス研究所
Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 嶋脇 秀徳 / Hidenori Shimawaki
第 4 著者 所属(和/英) NECマイクロエレクトロニクス研究所
Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 間々田 正行 / Masayuki Mamada
第 5 著者 所属(和/英) NECマイクロエレクトロニクス研究所
Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 後藤 典夫 / Norio Goto
第 6 著者 所属(和/英) NECマイクロエレクトロニクス研究所
Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 7 著者 氏名(和/英) 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo
第 7 著者 所属(和/英) NECマイクロエレクトロニクス研究所
Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation
発表年月日 1996/6/27
資料番号 MW96-43,OPE96-23
巻番号(vol) vol.96
号番号(no) 137
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日