| 講演名 | 1998/1/22 WSi/Tiベース電極を用いた絶縁膜埋め込み型微細InGap/GaAsHBT 岡 徹, 平田 宏治, 大内 潔, 内山 博幸, 望月 和浩, 中村 徹, |
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| 抄録(和) | InGaP/GaAs HBTを高速でかつ低電流で動作させるために, 素子のエミッタサイズおよびベースーコレクタ接合の寄生容量を大幅に低減することを試みた。寄生容量を低減するために, 外部コレクタ寄生領域を比誘電率の低い絶縁膜で埋め込んだ構造を用いた。またこの構造を容易に実現するため, ベース電極には加工性に優れたWSi/Tiを用いた。素子の性能としては, エミッタサイズS_E=0.6×4.6μmの素子においてコレクタ電流I_C=4mAで遮断周波数f_T=138GHz, 最大発振周波数f_ |
| 抄録(英) | We have developed high-performance InGaP/GaAs HBT's capable of high-speed as well as low-current operation: an HBT with an emitter size S_E of 0.6×4.6μm exhibited f_T of 138 GHz and f_ |
| キーワード(和) | InGaP/GaAs HBT / 絶縁膜 / ベース電極 |
| キーワード(英) | InGaP/GaAs HBT / base electrode / SiO_2 |
| 資料番号 | MW97-143 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 1998/1/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | WSi/Tiベース電極を用いた絶縁膜埋め込み型微細InGap/GaAsHBT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InGaP/GaAs HBT's Fabricated Using WSi/Ti as the Base Electrode and Burying SiO_2 in the Extrinsic Collector |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaP/GaAs HBT / InGaP/GaAs HBT |
| キーワード(2)（和/英） | 絶縁膜 / base electrode |
| キーワード(3)（和/英） | ベース電極 / SiO_2 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡 徹 / Tohru Oka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平田 宏治 / Koji Hirata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立超LSIエンジニアリング株式会社 Hitachi ULSI Engineering Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大内 潔 / Kiyoshi Ouchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 内山 博幸 / Hiroyuki Uchiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 望月 和浩 / Kazuhiro Mochizuki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中村 徹 / Tohru Nakamura |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 1998/1/22 |
| 資料番号 | MW97-143 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 478 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |