講演名 1998/1/22
マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性
福山 裕之, 前澤 宏一, 山本 眞史, 岡崎 浩司, 中川 匡夫, 村口 正弘,
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抄録(和) 共鳴トンネルHEMT (BTHEMT) のマイクロ波大信号特性を実験とシミュレーションにより調べた。RTHEMTの伝達特性における不連続的な変化により、出力スペクトルに明瞭な多数の高調波が得られることがわかった。このような強い非線形性を利用すると、従来にはない小型で低消費電力の高周波アナログ回路が実現できる可能性がある。一方、これらの高調波を得るためには、あるしきい値以上の入力レベルが必要であることが明らかになった。この入力しきい値は伝達特性に現れる双安定領域の幅に関係している。このRTHEMTをサンプリング位相検出器に利用して位相同期発振器を構成した結果についても述べる。
抄録(英) The large-signal microwave characteristics of a resonant-tunneling high electron mobility transistor (RTHEMT) is investigated both in experiments and simulations. A large number of harmonics with significant intensity appears in the output spectrum, owing to the nonlinearity arising from the discontinuous changes in the transfer characteristics of the RTHEMT. This feature is useful to construct simple, low-power-consumption analog RF circuits. Moreover, we found that there is critical input power to produce these harmonics, which appears because of the bistability in the transfer characteristics. We also applied the RTHEMT to a sampling phase detector, which is used for demonstraion of an 11-GHz phase-locked oscillator.
キーワード(和) 共鳴トンネルHEMT / RTD / HEMT / 非線形性 / 周波数変換
キーワード(英) Resonant tunneling HEMT / RTD / HEMT / Nonlinearities / Frequency conversion
資料番号 MW97-142
発行日

研究会情報
研究会 MW
開催期間 1998/1/22(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Microwaves (MW)
本文の言語 JPN
タイトル(和) マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Large-signal Microwave Characteristics of Resonant-tunneling High Electron Mobility Transistors
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 共鳴トンネルHEMT / Resonant tunneling HEMT
キーワード(2)(和/英) RTD / RTD
キーワード(3)(和/英) HEMT / HEMT
キーワード(4)(和/英) 非線形性 / Nonlinearities
キーワード(5)(和/英) 周波数変換 / Frequency conversion
第 1 著者 氏名(和/英) 福山 裕之 / Hiroyuki Fukuyama
第 1 著者 所属(和/英) NTTシステムエレクトロニクス研究所
NTT System Electronics Laboratories
第 2 著者 氏名(和/英) 前澤 宏一 / Koichi Maezawa
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋大学量子工学専攻
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
第 3 著者 氏名(和/英) 山本 眞史 / Masafumi Yamamoto
第 3 著者 所属(和/英) NTTシステムエレクトロニクス研究所
NTT System Electronics Laboratories
第 4 著者 氏名(和/英) 岡崎 浩司 / Hiroshi Okazaki
第 4 著者 所属(和/英) NTTワイヤレスシステム研究所
NTT Wireless Systems Laboratories
第 5 著者 氏名(和/英) 中川 匡夫 / Tadao Nakagawa
第 5 著者 所属(和/英) NTTワイヤレスシステム研究所:(現)総合通信エンジニアリング株式会社
NTT Wireless Systems Laboratories:(Present address)STE Telecommunication Engineering Co., Ltd.
第 6 著者 氏名(和/英) 村口 正弘 / Masahiro Muraguchi
第 6 著者 所属(和/英) NTTワイヤレスシステム研究所
NTT Wireless Systems Laboratories
発表年月日 1998/1/22
資料番号 MW97-142
巻番号(vol) vol.97
号番号(no) 478
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日