| 講演名 | 1997/9/26 外部ベース選択成長技術を用いたAlGaAs/InGaAs HBTのマイクロ波雑音特性 : マイクロ波帯低雑音HBT 百々 秀彰, 天宮 泰, 丹羽 隆樹, 間々田 正行, 後藤 典夫, 嶋脇 秀徳, |
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| 抄録(和) | ベース抵抗の低減と走行時間の短縮がHBTの低RF雑音化に有効であることから、外部ベース領域に高濃度p^+-GaAsを選択成長により導入してベース抵抗を低減し、真性ベース層にInGaAs組成傾斜層を用いてベース走行時間を短縮したAlGaAs/InGaAs HBTを作製し、最小雑音指数0.9dB@2GHz, 1.1dB@6GHz, 1.2dB@12GHz, 1.6dB@18GHzという低RF雑音特性を得た。本結果より、本HBTは高出力増幅器や低位相雑音発振器と組み合わせた形での低雑音応用 (多機能MMIC) に有望である。 |
| 抄録(英) | We evaluates low-noise AlGaAs/InGaAs HBTs with p^+-GaAs regrown base contacts and compositionally-graded thin base layer. Minimum noise figures NF_ |
| キーワード(和) | HBT / MOMBE選択成長 / 最小雑音指数 / 熱雑音 / 散弾雑音 |
| キーワード(英) | HBT / MOMBE selective growth / Minimum noise figure / Thermal noise / Shot noise |
| 資料番号 | MW97-89 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 1997/9/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 外部ベース選択成長技術を用いたAlGaAs/InGaAs HBTのマイクロ波雑音特性 : マイクロ波帯低雑音HBT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Microwave noise characteristics of AlGaAs/InGaAs HBTs fabricated with selective growth in the extrinsic base region. : Microwave low-noise HBT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(2)（和/英） | MOMBE選択成長 / MOMBE selective growth |
| キーワード(3)（和/英） | 最小雑音指数 / Minimum noise figure |
| キーワード(4)（和/英） | 熱雑音 / Thermal noise |
| キーワード(5)（和/英） | 散弾雑音 / Shot noise |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 百々 秀彰 / Hideaki Dodo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 NEC Optoelectronics & High Frequency Device Reserch Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 天宮 泰 / Yasusi Amamiya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 NEC Optoelectronics & High Frequency Device Reserch Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 丹羽 隆樹 / Takaki Niwa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 NEC Optoelectronics & High Frequency Device Reserch Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 間々田 正行 / Masayuki Mamada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 NEC Optoelectronics & High Frequency Device Reserch Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 後藤 典夫 / Norio Goto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 NEC Optoelectronics & High Frequency Device Reserch Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 嶋脇 秀徳 / Hidenori Shimawaki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 NEC Optoelectronics & High Frequency Device Reserch Laboratories |
| 発表年月日 | 1997/9/26 |
| 資料番号 | MW97-89 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 288 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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