| 講演名 | 1997/9/26 超微細ショットキー・ゲートFETのソース及びドレイン抵抗の簡易測定 井上 隆, コントラータ ウォルター, 大畑 恵一, |
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| 抄録(和) | ショットッキー・ゲートFETのソース及びドレイン抵抗値 (Rs、Rd) を正確に評価するために、簡便なDC測定を用いる方法、"Vf法"を提案する。本方法は、基本的にはゲートをプローブとして用いる手法を精密化したものであるが、理想因子n値が比較的大きい (1.2以上) FETにも有効である。また、本方法ではゲートに順方向バイアスを印加して、実効的な印加電圧が順方向立ち上がり電圧Vf程度になるようにする。その時、ゲートでの位置によらず、n値や見かけの障壁高さΦ_Bが一定という意味で、ゲート電流密度特性はほとんど均一となる。従って本方法は、ゲート長Lgが0.15μm以下の超微細ゲートFETでも、Rs、Rdを簡便かつ正確に評価できる。 |
| 抄録(英) | A new method, "Vf method", is proposed to accurately evaluate the parasitic source and drain resistances (Rs, Rd) in Schottky-gate FETs using simple DC-measurements. The method is based on an improved gate-probing technique, which is effective even if a tested device gate has a relatively large ideality factor n larger than 1.2. And the method can evaluate the values of the Rs and Rd simply and accurately even if the device has an ultra-short gate-length Lg less than 0.15μm, because it applies a forward turn-on voltage (Vf) to the gate in order to reduce inhomogeneities in the gate current density characteristics (i.e. n-factor and apparent barrier height Φ_B) along the gate length. |
| キーワード(和) | 超微細ショットキーゲート / FET / ソース抵抗 / ドレイン抵抗 |
| キーワード(英) | ultra-short Schottky-gate / FET / source resistance / drain resistance |
| 資料番号 | MW97-88 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 1997/9/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超微細ショットキー・ゲートFETのソース及びドレイン抵抗の簡易測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Simple Determination Method for the Source and Drain Resistances in the Ultra-Short Schottky-Gate FETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超微細ショットキーゲート / ultra-short Schottky-gate |
| キーワード(2)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(3)（和/英） | ソース抵抗 / source resistance |
| キーワード(4)（和/英） | ドレイン抵抗 / drain resistance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井上 隆 / Takashi Inoue |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC 関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | コントラータ ウォルター / Walter Contrata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC 関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大畑 恵一 / Keiichi Ohata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC 関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1997/9/26 |
| 資料番号 | MW97-88 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 288 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |