| 講演名 | 1997/9/26 Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響 松野 典朗, 矢野 仁之, 鈴木 康之, 本城 和彦, |
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| 抄録(和) | ソース接地MOSFETを用いたマイクロ波帯増幅器における、バイアス電源供給回路が相互変調歪み特性に与える影響について、大信号シミュレーションによる解析を行った。増幅器に2トーン信号を入力すると、FETの2次の非線形性により入力信号の差周波電流がドレインに発生する。これがドレインバイアス回路を流れることにより、ドレイン電圧が差周波で変動する。この電圧変動が入力信号を変調し、相互変調歪みが発生する。ドレインバイアス回路のインピーダンスが高くなるとこの電圧変動が大きくなるため、相互変調歪みは増加する。一般に差周波数が高くなるにつれバイアス回路のインピーダンスも高くなるため、このような性能劣化は帯域の広いアプリケーションでより深刻になる。 |
| 抄録(英) | This paper describes details of the intermodulation distortion dependence on the impedance of the bias circuit in a common-source MOSFET amplifier. The dependence was analyzed through large-signal simulations. The dependence is related to the drain voltage fluctuation with the difference frequency of the input tones, which is generated due to the second-order nonlinearity and the impedance of the drain bias circuit. The fluctuation is mixed with the input tones, and intermodulation products are generated. Since the fluctuation increases with the impedance of the drain bias circuit, the intermodulation products increase with the impedance. The degradation of the performance is more serious in wider bandwidth applications, since the impedance of the bias circuit increases with the difference frequency. |
| キーワード(和) | パワーアンプ / 相互変調歪み / 偶数次歪み / バイアス回路 / 差周波 / MOSFET |
| キーワード(英) | power amplifier / intermodulation distortion / even-order distortion / bias circuit / difference frequency / MOSFET. |
| 資料番号 | MW97-87 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 1997/9/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Intermodulation distortion dependence on bias circuit design in power MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | パワーアンプ / power amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | 相互変調歪み / intermodulation distortion |
| キーワード(3)（和/英） | 偶数次歪み / even-order distortion |
| キーワード(4)（和/英） | バイアス回路 / bias circuit |
| キーワード(5)（和/英） | 差周波 / difference frequency |
| キーワード(6)（和/英） | MOSFET / MOSFET. |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松野 典朗 / Noriaki Matsuno |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 矢野 仁之 / Hitoshi Yano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 康之 / Yasuyuki Suzuki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1997/9/26 |
| 資料番号 | MW97-87 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 288 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |