| 講演名 | 1997/6/12 1.9GHz帯パワーアンプモジュール 乙部 健二, 松崎 賢一郎, 橋長 達也, 志賀 信夫, |
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| 抄録(和) | 線形性に優れたGaAsパルスドープMESFETを使用した、PHS基地局用パワーアンプモジュール(20mW 7ch用)を開発した。PHSではπ/4シフトQPSK変調された信号を増幅するために隣接チャネル漏洩電力がパワーアンプの特性を決める重要なパラメータとなる。パワーアンプの設計にはロードプル、ソースプル測定を行い、隣接チャネル漏洩電力に対し最適負荷および信号源反射係数を求めた。リバースIM_3特性にはゲート幅の最適化を行った。また、パルスドープMESFETの線形性を利用した温度補償設計を行い、出力30dBm時の隣接チャネル漏洩電力600kHz離調は-62dBc、電力付加効率33%、-20～75℃の温度範囲での隣接チャネル漏洩電力600kHz離調の変動は1.5dB以下を実現した。 |
| 抄録(英) | The amplifier module with advanced pulse-doped MESFETs was successfully developed for basestations of Personal Handy Phone Systems. The feature of the developed module is to achieve low adjcent channel leakage power characteristics, low reverse IM_3 characteristics, and low power dissipation simultaneously. The key points to achieve our object are excellent linearity of advanced pulse-doped MESFETs, matching the optimum source and load impedance of the ACP, and the gate width. The PAE of 33% with the Pout of 30dBm at ACP600=-62dBc was achieved. |
| キーワード(和) | GaAs MESFET / PHS / パワーアンプモジュール |
| キーワード(英) | GaAs MESFET / PHS / Power Amplifier Module |
| 資料番号 | MW97-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 1997/6/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 1.9GHz帯パワーアンプモジュール |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 1.9GHz Band Power Amplifier Module |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs MESFET / GaAs MESFET |
| キーワード(2)（和/英） | PHS / PHS |
| キーワード(3)（和/英） | パワーアンプモジュール / Power Amplifier Module |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 乙部 健二 / Kenji Otobe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industrie, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松崎 賢一郎 / Ken-ichiro Matsuzaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industrie, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橋長 達也 / Tatsuya Hashinaga |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industrie, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 志賀 信夫 / Nobuo Shiga |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industrie, Ltd. |
| 発表年月日 | 1997/6/12 |
| 資料番号 | MW97-33 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 93 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |