講演名 | 2002/9/19 標準CMOSによるイメージセンサ特性評価 伊藤 真也, 川人 祥二, 高嶋 大, 榊原 雅樹, |
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抄録(和) | 標準CMOSプロセスにより試作したCMOSイメージセンサの諸特性について報告する。0.6μm2層ポリ3層メタルの標準的CMOSファウンダリを利用した。感度、暗電流、固定パターンノイズ、ランダムノイズ、残像特性について調べた。ノイズキャンセルはディジタル領域で行い、リセットノイズ除去性能についても検討した。画素回路は3トランジスタ方式と電荷オーバーフローを用いた4トランジスタ方式を比較し、オーバーフロー方式については、n+/P-subのフォトダイオードとn-well/P-subフォトダイオードを比較した。また、pMOSとP+/n-wellのフォトダイオードについても試作した。 |
抄録(英) | The technology used is a 0.6μm double-poly triple-metal CMOS process The sensitivity, dark current, fixed pattern noise, random noise, and image lag are compared in 4types of sensors ;3-transistor,n+/p-sub photodiode(PD) ,4-transistor n+/p-sub PD,4-transistor n-well/p-sub PD,and 3-transistor(PMOS) P+/n-well PD. |
キーワード(和) | CMOSイメージセンサ / 高速非破壊読み出し / ディジタルノイズキャンセル |
キーワード(英) | CMOS image sensor / High-speed non-destructive readout / Digital noise cancel |
資料番号 | ICD2002-92 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2002/9/19(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 標準CMOSによるイメージセンサ特性評価 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Characteristics of CMOS Image Sensors using a standard CMOS process technology |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | CMOSイメージセンサ / CMOS image sensor |
キーワード(2)(和/英) | 高速非破壊読み出し / High-speed non-destructive readout |
キーワード(3)(和/英) | ディジタルノイズキャンセル / Digital noise cancel |
第 1 著者 氏名(和/英) | 伊藤 真也 / Shinya ITO |
第 1 著者 所属(和/英) | 静岡大学 理工学研究科 Shizuoka University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 川人 祥二 / Shoji KAWAHITO |
第 2 著者 所属(和/英) | 静岡大学 電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 高嶋 大 / Hajime TAKASHIMA |
第 3 著者 所属(和/英) | 静岡大学 理工学研究科 Shizuoka University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 榊原 雅樹 / Masaki SAKAKIBARA |
第 4 著者 所属(和/英) | 静岡大学 理工学研究科 Shizuoka University |
発表年月日 | 2002/9/19 |
資料番号 | ICD2002-92 |
巻番号(vol) | vol.102 |
号番号(no) | 339 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |