| 講演名 | 2002/9/19 BiCMOSプロセスを用いた発光素子集積型イメージセンサ 太田 淳, 飯盛 慶一, 香川 景一郎, 徳田 崇, 布下 正宏, |
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| 抄録(和) | 汎用SiGe-BiCMOSプロセスを用いて試作したSi-LEDを集積化したイメージセンサに関して報告する.試作したLEDは逆バイアス印加型であり,接合部濃度構成によりブレークダウン機構がZennerブレークダウンとアバランシェブレークダウンとに分類され,アバランシェ型LEDの方が発光効率が高いことが分かった.このLEDをAPS(Active Pixel Sensor)と集積化した素子を試作し,LED-APS間距離がAPS放電特性に及ぼす影響を調べ500μm以上の距離があればAPS放電特性には殆ど影響しないことが分かった. |
| 抄録(英) | We have fabricated and demonstrated fundamental characteristics of an image sensor integrated with Si-LED using a standard SiGe-BiCMOS process technology. The fabricated LEDs are classified into two types of avalanche and Zener in their breakdown mode. The avalanche type LED has found better emission efficiency. We have studied that the dependence of the distance between LED and APS on the discharge characteristics of the APS and found that over 500 μm is required to suppress the effect from the LED. |
| キーワード(和) | イメージセンサ / 発光素子 / Si-LED / BiCMOSプロセス / Active Pixel Sensor |
| キーワード(英) | Image Sensor / Si-Light Emitting Device / BiCMOS process / Active Pixel Sensor |
| 資料番号 | ICD2002-90 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2002/9/19(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | BiCMOSプロセスを用いた発光素子集積型イメージセンサ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An image sensor integrated with light emission diodes using a standard SiGe-BiCMOS fabrication technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | イメージセンサ / Image Sensor |
| キーワード(2)（和/英） | 発光素子 / Si-Light Emitting Device |
| キーワード(3)（和/英） | Si-LED / BiCMOS process |
| キーワード(4)（和/英） | BiCMOSプロセス / Active Pixel Sensor |
| キーワード(5)（和/英） | Active Pixel Sensor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 太田 淳 / Jun OHTA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 飯盛 慶一 / Keiichi ISAKARI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 香川 景一郎 / Keiichiro KAGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 徳田 崇 / Takashi TOKUDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 布下 正宏 / Masahiro NUNOSHITA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2002/9/19 |
| 資料番号 | ICD2002-90 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 339 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |