| 講演名 | 2002/9/19 高感度CMOSイメージセンサ 石渡 宏明, 田中 長孝, 山口 鉄也, 井原 久典, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 最低被写体照度31uxというCCDイメージセンサ並の高感度特性を実現したCMOSイメージセンサを開発に成功した.本センサは,不純物プロファイルを最適にした埋め込みフォトダイオードの採用と,画素レイアウトの最適化を図りフォトダイオード面積を増大させることで実現した. |
| 抄録(英) | A CMOS image sensor with a high sensitivity and buried photodiode has been developed. The sensor has sensitivity comparable to that of CCD imagers. |
| キーワード(和) | 暗電流 / 埋め込みフォトダイオード / CMOSイメージセンサ / 最低被写体照度31ux |
| キーワード(英) | Dark Current / Buried Photodiode / CMOS Image Sensor |
| 資料番号 | ICD2002-89 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 2002/9/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高感度CMOSイメージセンサ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A CMOS Image Sensor with High Sensitivity |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 暗電流 / Dark Current |
| キーワード(2)（和/英） | 埋め込みフォトダイオード / Buried Photodiode |
| キーワード(3)（和/英） | CMOSイメージセンサ / CMOS Image Sensor |
| キーワード(4)（和/英） | 最低被写体照度31ux |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石渡 宏明 / Hiroaki ISHIWATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝 セミコンダクター社システムLSI事業部 システムLSI統括第一部 Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 長孝 / Nagataka TANAKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝 セミコンダクター社システムLSI事業部 システムLSI統括第一部 Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 鉄也 / Tetsuya YAMAGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝 セミコンダクター社システムLSI事業部 システムLSI統括第一部 Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井原 久典 / Hisanori IHARA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝 セミコンダクター社システムLSI事業部 システムLSI統括第一部 Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 発表年月日 | 2002/9/19 |
| 資料番号 | ICD2002-89 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 339 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |