| 講演名 | 2002/9/19 CMOSとの集積化に適したJFET素子と低雑音増幅回路の形成 高尾 英邦, 浅岡 力也, 伊藤 芳晃, 澤田 和明, 川人 祥二, 石田 誠, |
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| 抄録(和) | 本研究では、標準CMOSに近い工程で実現可能な低雑音トランジスタとしてこのJFETに着目し、これをCMOSと同一基板内に集積化してセンサインターフェース用低雑音増幅器の構成要素とする。JFETはMOSFETと異なり、半導体内部の導電性を制御する素子であるため、界面付近の準位の影響を受けず、1/f雑音が小さいと考えられている。また、ゲート入力インピーダンスも十分高く、増幅器の入力素子として有利である。CMOSと同じ基板中に低雑音のJFETが形成できれば、それを要部に用いた低雑音増幅回路を形成することが可能となる。本稿ではこのCMOSとの混載に適したJFET形成技術とその試作結果、雑音特性の評価結果とセンサインターフェースへの適用について述べる。 |
| 抄録(英) | In this paper, a fabrication technology of JFET integration in standard CMOS is presented. JFET is used in CMOS (operational) amplifiers for realization of very low-noise sensor interface circuits. JFET devices are formed with "well" structures in standard CMOS circuits. In a p-well region, n-type channel is formed by deep P ion-implantation with energy of 150 keV to connect n+ source and drain region already formed. After that, p-type top gate is formed by B ion-implantation with energy of 30 keV. Fabricated JFET devices showed larger transconductance as compared to MOSFET devices formed on the same die. Noise power-spectrum of fabricated JFET was also evaluated, and very low-level noise amplitude was observed. |
| キーワード(和) | JFET-CMOS / 低雑音増幅器 / 高入力インピーダンス / センサインターフェース |
| キーワード(英) | JFET-CMOS / Low-Noise Amplifier / High Input Impedance / Sensor Interface |
| 資料番号 | ICD2002-80 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2002/9/19(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CMOSとの集積化に適したJFET素子と低雑音増幅回路の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A JFET Device for CMOS Integrated Circuits and Its Application to CMOS-Based Low Noise Amplifiers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | JFET-CMOS / JFET-CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | 低雑音増幅器 / Low-Noise Amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | 高入力インピーダンス / High Input Impedance |
| キーワード(4)（和/英） | センサインターフェース / Sensor Interface |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高尾 英邦 / Hidekuni Takao |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 工学部 Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅岡 力也 / Rikiya Asaoka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 工学部 Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 伊藤 芳晃 / Yoshiaki Ito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 工学部 Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 澤田 和明 / Kazuaki Sawada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 工学部 Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 川人 祥二 / Syoji Kawahito |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学:(現)静岡大学 電子工学研究所 Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology:(Present address)Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石田 誠 / Makoto Ishida |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 工学部 Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 2002/9/19 |
| 資料番号 | ICD2002-80 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 339 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |