講演名 2002/1/11
26GHz帯TM_<11δ>^□モード誘電体共振器フィルタ
榎原 晃, 難波 英樹, 中村 俊昭, 石崎 俊雄,
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抄録(和) TM_<11δ>矩形(TM_<11δ>^□)モードを利用した新規構造の誘電体共振器フィルタおよびデュプレクサについて報告する.これらは, 従来の導波管フィルタに代わる低損失特性と, 小型で回路基板上への表面実装可能な素子構造とを目指して提案したものである.フィルタに用いた誘電体共振器の形状は1×1×5.6mmで, 断面形状が3×3mmの遮蔽筐体内に設置される.低損失セラミックス材料を用いた場合, 26GHzでの無負荷Qの実測値は2600であり, 導波管共振器に匹敵する高い値を有することがわかった.本共振器構造を用いて, マイクロストリップ線路を入出力に用いた3段の帯域通過フィルタを設計し, 試作・評価を行った.フィルタ仕様は帯域内リップル0.01dB, 比帯域0.4%のチェビシェフ型で, 中心周波数26GHz, 挿入損は1.7dBであった.さらに, 2つの3段帯域フィルタとマイクロストリップT分岐線路からなる移相回路によって構成されるデュプレクサを設計・試作し, 評価を行った.
抄録(英) A novel structure of a 26GHz bandpass filter using TM_<11δ> rectangular-mode dielectric cavity resonators is introduced. The resonator shows a high quality factor (Q) value of 2600,which is roughly comparable to that of waveguide type one, in spite of its small structure. The filter has input/output ports of microstrip lines for surface mounting. A three-stage Tchebyscheff bandpass filter with 0.4% relative bandwidth was fabricated and the passband insertion loss was measured to be 1.7 dB. A duplexer of a simple structure. consisting of two TM_<11δ> mode filters and a microstrip T-junction, is also presented. These filter and duplexer have a configuration compact and easy to manufacture as well as the high-Q performance.
キーワード(和) ミリ波 / 誘電体共振器 / TM_<11δ>モード / フィルタ / デュプレクサ
キーワード(英) Millimeter-wave / Dielectric resonator / TM_<11δ> mode / Filter / Duplexer
資料番号 2001-223-ED,2001-178-MW,2001-220-ICD
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2002/1/11(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 26GHz帯TM_<11δ>^□モード誘電体共振器フィルタ
サブタイトル(和)
タイトル(英) 26 GHz TM_<11δ> Rectangular-Mode Dielectric Resonator Filter
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ミリ波 / Millimeter-wave
キーワード(2)(和/英) 誘電体共振器 / Dielectric resonator
キーワード(3)(和/英) TM_<11δ>モード / TM_<11δ> mode
キーワード(4)(和/英) フィルタ / Filter
キーワード(5)(和/英) デュプレクサ / Duplexer
第 1 著者 氏名(和/英) 榎原 晃 / Akira ENOKIHARA
第 1 著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社先端技術研究所
Advanced Technology Research Laboratories, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 難波 英樹 / Hideki NANBA
第 2 著者 所属(和/英) 松下日東電器株式会社技術部
Engineering Department, Matsushita Nitto Electric Co., Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 中村 俊昭 / Toshiaki NAKAMURA
第 3 著者 所属(和/英) 松下日東電器株式会社技術部
Engineering Department, Matsushita Nitto Electric Co., Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 石崎 俊雄 / Toshio ISHIZAKI
第 4 著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社デバイス開発センタ
Device Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
発表年月日 2002/1/11
資料番号 2001-223-ED,2001-178-MW,2001-220-ICD
巻番号(vol) vol.101
号番号(no) 557
ページ範囲 pp.-
ページ数 7
発行日