講演名 2002/1/11
InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1 : 16DEMUXおよびCDR/1 : 4DEMUX
石井 清, 野坂 秀之, 中島 裕樹, 栗島 賢二, 井田 実, 渡邉 則之, 山根 康朗, 佐野 栄一, 榎木 孝知,
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抄録(和) InP/InGaAs HBTを用いて低電力1 : 16DEMUX ICおよびCDR/1 : 4 DEMUX ICを設計・試作した。ICは、素子特性の均一性に優れたノンセルフアラインHBTプロセスによって試作した。1 : 16DEMUX ICおよびCDR/1 : 4 DEMUX ICは、それぞれ約1200および約460トランジスタを集積している。いずれのICも10Gbit/sにおいて、すべてのデータ出力でエラーフリー動作を確認した。1 : 16DEMUX ICおよびCDR/1 : 4 DEMUX ICは、それぞれ1Wおよび950 mWと極めて低い消費電力で10 Gbit/sの動作を達成した。以上の結果は、InP/InGaAsHBTは高集積・低電力ICを製作するための有力なデバイス技術であることを示している。
抄録(英) Using InP/InGaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) technology, we have successfully designed and fabricated a low power 1 : 16 demultiplexer (DEMUX) IC and one-chip clock and data recovery (CDR) with a 1 : 4 DEMUX IC for 10 Gbit/s optical communication systems. The HBTs were fabricated by a non-self-aligned process to achieve high productivity and uniformity of device characteristics. The 1 : 16 DEMUX IC and the one-chip CDR with the 1 : 4 DEMUX IC consist of approximately 1200 and 460 transistors, respectively. We have confirmed error-free operation at 10 Gbit/s for all data outputs of both ICs. The 1 : 16 DEMUX IC and the one-chip CDR With the 1 : 4 DEMUX IC consume only 1 W and 950 mW, respectively. These results demonstrate the feasibility of InP/InGaAs HBTs for low-power, high-integration optical communication ICs.
キーワード(和) InP/InGaAs HBT / デマルチプレクサ / DEMUX / クロック抽出・識別再生回路 / CDR
キーワード(英) InP/InGaAs HBT / DEMUX / CDR
資料番号 2001-ED-215,2001-MW-170,2001-ICD-212
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2002/1/11(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1 : 16DEMUXおよびCDR/1 : 4DEMUX
サブタイトル(和)
タイトル(英) Low-power 1 : 16 DEMUX and One-chip CDR with 1 : 4 DEMUX using InP/InGaAs HBT Technology
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) InP/InGaAs HBT / InP/InGaAs HBT
キーワード(2)(和/英) デマルチプレクサ / DEMUX
キーワード(3)(和/英) DEMUX / CDR
キーワード(4)(和/英) クロック抽出・識別再生回路
キーワード(5)(和/英) CDR
第 1 著者 氏名(和/英) 石井 清 / Kiyoshi Ishii
第 1 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 野坂 秀之 / Hideyuki Nosaka
第 2 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 中島 裕樹 / Hiroki Nakajima
第 3 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:(現)NTT知的財産センタ
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation:(Present address) NTT Intellectual Property Center
第 4 著者 氏名(和/英) 栗島 賢二 / Kenji Kurishima
第 4 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 井田 実 / Minoru Ida
第 5 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 渡邉 則之 / Noriyuki Watanabe
第 6 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation
第 7 著者 氏名(和/英) 山根 康朗 / Yasurou Yamane
第 7 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:(現)NTTエレクトロニクス
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation:(Present address)NTT Electronics Corporation
第 8 著者 氏名(和/英) 佐野 栄一 / Eiichi Sano
第 8 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:(現)北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センタ
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation:(Present adderss)Hokkaido University
第 9 著者 氏名(和/英) 榎木 孝知 / Takatomo Enoki
第 9 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation
発表年月日 2002/1/11
資料番号 2001-ED-215,2001-MW-170,2001-ICD-212
巻番号(vol) vol.101
号番号(no) 557
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日