講演名 | 2002/1/11 InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1 : 16DEMUXおよびCDR/1 : 4DEMUX 石井 清, 野坂 秀之, 中島 裕樹, 栗島 賢二, 井田 実, 渡邉 則之, 山根 康朗, 佐野 栄一, 榎木 孝知, |
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抄録(和) | InP/InGaAs HBTを用いて低電力1 : 16DEMUX ICおよびCDR/1 : 4 DEMUX ICを設計・試作した。ICは、素子特性の均一性に優れたノンセルフアラインHBTプロセスによって試作した。1 : 16DEMUX ICおよびCDR/1 : 4 DEMUX ICは、それぞれ約1200および約460トランジスタを集積している。いずれのICも10Gbit/sにおいて、すべてのデータ出力でエラーフリー動作を確認した。1 : 16DEMUX ICおよびCDR/1 : 4 DEMUX ICは、それぞれ1Wおよび950 mWと極めて低い消費電力で10 Gbit/sの動作を達成した。以上の結果は、InP/InGaAsHBTは高集積・低電力ICを製作するための有力なデバイス技術であることを示している。 |
抄録(英) | Using InP/InGaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) technology, we have successfully designed and fabricated a low power 1 : 16 demultiplexer (DEMUX) IC and one-chip clock and data recovery (CDR) with a 1 : 4 DEMUX IC for 10 Gbit/s optical communication systems. The HBTs were fabricated by a non-self-aligned process to achieve high productivity and uniformity of device characteristics. The 1 : 16 DEMUX IC and the one-chip CDR with the 1 : 4 DEMUX IC consist of approximately 1200 and 460 transistors, respectively. We have confirmed error-free operation at 10 Gbit/s for all data outputs of both ICs. The 1 : 16 DEMUX IC and the one-chip CDR With the 1 : 4 DEMUX IC consume only 1 W and 950 mW, respectively. These results demonstrate the feasibility of InP/InGaAs HBTs for low-power, high-integration optical communication ICs. |
キーワード(和) | InP/InGaAs HBT / デマルチプレクサ / DEMUX / クロック抽出・識別再生回路 / CDR |
キーワード(英) | InP/InGaAs HBT / DEMUX / CDR |
資料番号 | 2001-ED-215,2001-MW-170,2001-ICD-212 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2002/1/11(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1 : 16DEMUXおよびCDR/1 : 4DEMUX |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Low-power 1 : 16 DEMUX and One-chip CDR with 1 : 4 DEMUX using InP/InGaAs HBT Technology |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | InP/InGaAs HBT / InP/InGaAs HBT |
キーワード(2)(和/英) | デマルチプレクサ / DEMUX |
キーワード(3)(和/英) | DEMUX / CDR |
キーワード(4)(和/英) | クロック抽出・識別再生回路 |
キーワード(5)(和/英) | CDR |
第 1 著者 氏名(和/英) | 石井 清 / Kiyoshi Ishii |
第 1 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
第 2 著者 氏名(和/英) | 野坂 秀之 / Hideyuki Nosaka |
第 2 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
第 3 著者 氏名(和/英) | 中島 裕樹 / Hiroki Nakajima |
第 3 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:(現)NTT知的財産センタ NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation:(Present address) NTT Intellectual Property Center |
第 4 著者 氏名(和/英) | 栗島 賢二 / Kenji Kurishima |
第 4 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
第 5 著者 氏名(和/英) | 井田 実 / Minoru Ida |
第 5 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
第 6 著者 氏名(和/英) | 渡邉 則之 / Noriyuki Watanabe |
第 6 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
第 7 著者 氏名(和/英) | 山根 康朗 / Yasurou Yamane |
第 7 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:(現)NTTエレクトロニクス NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation:(Present address)NTT Electronics Corporation |
第 8 著者 氏名(和/英) | 佐野 栄一 / Eiichi Sano |
第 8 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:(現)北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センタ NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation:(Present adderss)Hokkaido University |
第 9 著者 氏名(和/英) | 榎木 孝知 / Takatomo Enoki |
第 9 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
発表年月日 | 2002/1/11 |
資料番号 | 2001-ED-215,2001-MW-170,2001-ICD-212 |
巻番号(vol) | vol.101 |
号番号(no) | 557 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |