| 講演名 | 2002/1/9 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価 篠原 啓介, 松井 敏明, 山下 良美, 遠藤 聡, 彦坂 康己, 三村 高志, 冷水 佐壽, |
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| 抄録(和) | 微細ゲートを有するInP-HEMTはサブミリ波帯での動作が可能であり、将来のミリ波・サブミリ波通信のキーデバイスとして期待されている。本研究では、InP-HEMTの高周波特性に与えるゲートリセス構造の影響を調べるために、ゲートのソース側とドレイン側のサイドリセス量をそれぞれ独立に精度良くコントロールできる非対称リセス構造の作製技術を開発し、作製した素子の特性評価を行った。試作したゲート長60nmの歪みInGaAs/InAlAs HEMTにおいて、ソース測のサイドリセス量を小さく(80nm)し、ドレイン側のサイドリセス量を大きく(190nm)することによって、最大発振周波数(fmax)が503GHzまで向上することが分かった。これは主にドレインコンダクタンス(gd)とゲート-ドレイン間容量(Cgd)の減少によるものであり、ドレイン側のリセス量の増加に伴って、ゲートのドレイン端の空乏層が拡がり、その領域の電界が緩和したことを示唆している。 |
| 抄録(英) | InP-based InGaAs/InAlAs high electron mobility transistors (HEMTs) are the fastest transistors at present and key devices for the future millimeter-wave and optical communications. In this paper, a self-aligned asymmetric gate-recess structure for the ultra-fast InGaAs/InAlAs HEMTs is developed in order to investigate the effect of the gate-recess structure on their high frequency performances. A 60-nm-gate HEMT with a longer drain-side recess length (Lrd) exhibits a much-improved maximum oscillation frequency (fmax) of 503 GHz compared to that (281GHz) with a symmetric recess structure mainly due to a decrease in a drain conductance (gd) and a gate-drain capacitance (Cgd). This result indicates that the longer Lrd results in a longer depletion area at the drain end of the gate and then alleviate electric field between gate and drain. |
| キーワード(和) | InP-HEMT / 非対称リセス / 遮断周波数 / ft / 最大発振周波数 / fmax |
| キーワード(英) | InP-HEMT / Asymmetric gate-recess / Cutoff frequency / ft / Maximum oscillation frequcency / fmax |
| 資料番号 | 2001-ED-195,2001-MW-150,2001-ICD-192 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2002/1/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Gate-Recess Structure on the High Frequency Performance of Ultra-Fast InP-Based HEMTs : Asymmetric Gate-Recess Fabrication and Characterization |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP-HEMT / InP-HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 非対称リセス / Asymmetric gate-recess |
| キーワード(3)（和/英） | 遮断周波数 / Cutoff frequency |
| キーワード(4)（和/英） | ft / ft |
| キーワード(5)（和/英） | 最大発振周波数 / Maximum oscillation frequcency |
| キーワード(6)（和/英） | fmax / fmax |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 篠原 啓介 / Keisuke SHINOHARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 通信総合研究所 Communications Research Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松井 敏明 / Toshiaki MATSUI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 通信総合研究所 Communications Research Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山下 良美 / Yoshimi YAMASHITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Limited |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 遠藤 聡 / Akira ENDOH |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Limited |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 彦坂 康己 / Kohki HIKOSAKA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Limited |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 三村 高志 / Takashi MIMURA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Limited |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 冷水 佐壽 / Satoshi HIYAMIZU |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学部 Graduate School of Engineering Science, Osaka University |
| 発表年月日 | 2002/1/9 |
| 資料番号 | 2001-ED-195,2001-MW-150,2001-ICD-192 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 555 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |