| 講演名 | 2002/1/9 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術 栗島 賢二, 井田 実, 渡邊 則之, 石井 清, 榎木 孝知, 佐野 栄一, |
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| 抄録(和) | 40Gbit/s光通信ICへの応用を目指して, InP DHBTのマニュファクチャビリティーについて検討を行った。炭素ドープInGaAsベースを採用し, InGaAs/InGaAsP/InP傾斜コレクタのバンドプロファイルを最適化することによって, 均一で高性能なDHBTを実現した。試作した素子は電流利得30,コレクタ耐圧BV_ |
| 抄録(英) | We have investigated manufacturability of InP DHBTs for the applications to 40Gbit/s optical communications ICs. Our DHBTs feature a carbon-doped InGaAs base and an InGaAs/InGaAsP/InP step-graded collector with its conduction-band potential profile properly controlled by the doping dipole. The fabricated transistors yield current gain of 30,collector breakdown voltage, BV_ |
| キーワード(和) | InP / ダブルへテロ接合 / コレクタ耐圧 / 電流ブロッキング / 炭素ドーピング / ターンオン電圧 |
| キーワード(英) | InP / double-hetrojunction / collector breakdown voltage / current blocking / carbon doping / turn-on voltage |
| 資料番号 | 2001-ED-193,2001-MW-148,2001-ICD-190 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2002/1/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device Technologies for High-Performance InP DHBTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(2)（和/英） | ダブルへテロ接合 / double-hetrojunction |
| キーワード(3)（和/英） | コレクタ耐圧 / collector breakdown voltage |
| キーワード(4)（和/英） | 電流ブロッキング / current blocking |
| キーワード(5)（和/英） | 炭素ドーピング / carbon doping |
| キーワード(6)（和/英） | ターンオン電圧 / turn-on voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 栗島 賢二 / Kenji KURISHIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井田 実 / Minoru IDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 渡邊 則之 / Noriyuki WATANABE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石井 清 / Kiyoshi ISHII |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 榎木 孝知 / Takatomo ENOKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 佐野 栄一 / Eiich SANO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:(現)北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センタ NTT Photonics Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation : (Present address) Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2002/1/9 |
| 資料番号 | 2001-ED-193,2001-MW-148,2001-ICD-190 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 555 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |