講演名 2002/1/9
InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
高橋 剛, 牧山 剛三, 今西 健治, 西 真弘, 重松 寿生, 鈴木 俊秀, 原 直紀,
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抄録(和) InP-HEMTのエピやプロセスの均一化を検討し、単体トランジスタのVthにおいて標準偏差16mV, 差動対のオフセット6.2mVを実現した。gm=917mS/mm, f_T=175GHzのトランジスタを、BCBを用いた二層配線で集積化し、プリアンプやMUXなどの400bit/s光通信用ICに適用した。プリアンプでは電流電圧変換利得52dBΩと、49GHzの帯域にわたりフラットな利得を実現した。MUXにおいては、D-FFと組み合わせることでジッタの少ない40Gbit/sの波形を得ることができた。InP-HEMTのさらなる特性改善で、40Gbit/sを超えるICの実現の可能性がある。
抄録(英) We developed InP-based HEMTs that have uniform threshold voltage. The standard deviation of their threshold voltage is 16 mV, and the offset-voltages in the differential pair of FETs is only 6.2 mV. The average transconductance is 917 mS/mm and the cutoff frequency is 175 GHz. We applied the InP-based HEMTs to preamplifiers and multiplexers (MUX) for 40-Gbit/s optical communication systems. We achieved a transimpedance gain of 52 dBΩ and a bandwidth of 49 GHz for the preamplifiers. The use of a D-FF with the MUX improved the quality of the transmission signal of 40-Gbit/s. We believe that further improvement of the device performance enable the IC operation over 40-Gbit/s.
キーワード(和) InP / HEMT / 均一性 / 光通信 / プリアンプ / MUX
キーワード(英) InP / HEMT / uniformity / optical communication / preamplifier / multiplexer
資料番号 2001-ED-190,2001-MW-145,2001-ICD-187
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2002/1/9(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
サブタイトル(和)
タイトル(英) Uniform InP-based HEMTs and Application for 40-Gbit/s Optical Communication Circuits
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) InP / InP
キーワード(2)(和/英) HEMT / HEMT
キーワード(3)(和/英) 均一性 / uniformity
キーワード(4)(和/英) 光通信 / optical communication
キーワード(5)(和/英) プリアンプ / preamplifier
キーワード(6)(和/英) MUX / multiplexer
第 1 著者 氏名(和/英) 高橋 剛 / Tsuyoshi TAKAHSHI
第 1 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 牧山 剛三 / Kozo MAKIYAMA
第 2 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 今西 健治 / Kenji IMANISHI
第 3 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 西 真弘 / Masahiro NISHI
第 4 著者 所属(和/英) 富士通カンタムデバイス(株) 先端技術開発部
Fujitsu Quantum Devices Ltd.
第 5 著者 氏名(和/英) 重松 寿生 / Hisao SHIGEMATSU
第 5 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 6 著者 氏名(和/英) 鈴木 俊秀 / Toshihide SUZUKI
第 6 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 7 著者 氏名(和/英) 原 直紀 / Naoki HARA
第 7 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
Fujitsu Laboratories Ltd.
発表年月日 2002/1/9
資料番号 2001-ED-190,2001-MW-145,2001-ICD-187
巻番号(vol) vol.101
号番号(no) 555
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日