講演名 | 2002/1/9 InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用 高橋 剛, 牧山 剛三, 今西 健治, 西 真弘, 重松 寿生, 鈴木 俊秀, 原 直紀, |
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抄録(和) | InP-HEMTのエピやプロセスの均一化を検討し、単体トランジスタのVthにおいて標準偏差16mV, 差動対のオフセット6.2mVを実現した。gm=917mS/mm, f_T=175GHzのトランジスタを、BCBを用いた二層配線で集積化し、プリアンプやMUXなどの400bit/s光通信用ICに適用した。プリアンプでは電流電圧変換利得52dBΩと、49GHzの帯域にわたりフラットな利得を実現した。MUXにおいては、D-FFと組み合わせることでジッタの少ない40Gbit/sの波形を得ることができた。InP-HEMTのさらなる特性改善で、40Gbit/sを超えるICの実現の可能性がある。 |
抄録(英) | We developed InP-based HEMTs that have uniform threshold voltage. The standard deviation of their threshold voltage is 16 mV, and the offset-voltages in the differential pair of FETs is only 6.2 mV. The average transconductance is 917 mS/mm and the cutoff frequency is 175 GHz. We applied the InP-based HEMTs to preamplifiers and multiplexers (MUX) for 40-Gbit/s optical communication systems. We achieved a transimpedance gain of 52 dBΩ and a bandwidth of 49 GHz for the preamplifiers. The use of a D-FF with the MUX improved the quality of the transmission signal of 40-Gbit/s. We believe that further improvement of the device performance enable the IC operation over 40-Gbit/s. |
キーワード(和) | InP / HEMT / 均一性 / 光通信 / プリアンプ / MUX |
キーワード(英) | InP / HEMT / uniformity / optical communication / preamplifier / multiplexer |
資料番号 | 2001-ED-190,2001-MW-145,2001-ICD-187 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2002/1/9(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Uniform InP-based HEMTs and Application for 40-Gbit/s Optical Communication Circuits |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | InP / InP |
キーワード(2)(和/英) | HEMT / HEMT |
キーワード(3)(和/英) | 均一性 / uniformity |
キーワード(4)(和/英) | 光通信 / optical communication |
キーワード(5)(和/英) | プリアンプ / preamplifier |
キーワード(6)(和/英) | MUX / multiplexer |
第 1 著者 氏名(和/英) | 高橋 剛 / Tsuyoshi TAKAHSHI |
第 1 著者 所属(和/英) | (株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部 Fujitsu Laboratories Ltd. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 牧山 剛三 / Kozo MAKIYAMA |
第 2 著者 所属(和/英) | (株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部 Fujitsu Laboratories Ltd. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 今西 健治 / Kenji IMANISHI |
第 3 著者 所属(和/英) | (株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部 Fujitsu Laboratories Ltd. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 西 真弘 / Masahiro NISHI |
第 4 著者 所属(和/英) | 富士通カンタムデバイス(株) 先端技術開発部 Fujitsu Quantum Devices Ltd. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 重松 寿生 / Hisao SHIGEMATSU |
第 5 著者 所属(和/英) | (株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部 Fujitsu Laboratories Ltd. |
第 6 著者 氏名(和/英) | 鈴木 俊秀 / Toshihide SUZUKI |
第 6 著者 所属(和/英) | (株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部 Fujitsu Laboratories Ltd. |
第 7 著者 氏名(和/英) | 原 直紀 / Naoki HARA |
第 7 著者 所属(和/英) | (株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部 Fujitsu Laboratories Ltd. |
発表年月日 | 2002/1/9 |
資料番号 | 2001-ED-190,2001-MW-145,2001-ICD-187 |
巻番号(vol) | vol.101 |
号番号(no) | 555 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |