講演名 | 2002/1/9 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET 分島 彰男, 大田 一樹, 松永 高治, 葛原 正明, |
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抄録(和) | 本論文では、InGaPをチャネル層に用いたField-Modulating Plate(FP-)MESFET(InGaP FP-MESFET)の高電圧動作により得られた高い出力電力密度及び低歪み特性を報告する。今回作製したInGaP FP-MESFETは超高耐圧特性(BV_ |
抄録(英) | This paper describes high power density and low distortion characteristics of an InGaP channel field-modulating plate (FP-) MESFET (InGap FP-MESFET) under high voltage operation. The developed FP-MESFET exhibited and extremely high breakdown voltage of 100 V and delivered and output power density of 1.6 W/mm at 1.95 GHz operated at a drain bias (Vd) of 55 V. A 3rd-order intermodulation distortion (IM3) of -31 dBc was also achieved at an 8 dB back-off point from saturation power. These results show the developed FET is suited for applications in a cellular base station. |
キーワード(和) | InGaP / Field-Modulating Plate / FET / 耐圧 / 歪み |
キーワード(英) | InGap / Field-Modulating Plate / FET / break-down voltage / distortion |
資料番号 | 2001-ED-188,2001-MW-143,2001-ICD-185 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2002/1/9(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | InGaP Channel Field-Modulating Plate FET under High Voltage Operation |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | InGaP / InGap |
キーワード(2)(和/英) | Field-Modulating Plate / Field-Modulating Plate |
キーワード(3)(和/英) | FET / FET |
キーワード(4)(和/英) | 耐圧 / break-down voltage |
キーワード(5)(和/英) | 歪み / distortion |
第 1 著者 氏名(和/英) | 分島 彰男 / Akio Wakejima |
第 1 著者 所属(和/英) | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Research Laboratories, NEC Corporation |
第 2 著者 氏名(和/英) | 大田 一樹 / Kazuki Ota |
第 2 著者 所属(和/英) | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Research Laboratories, NEC Corporation |
第 3 著者 氏名(和/英) | 松永 高治 / Kohji Matsunaga |
第 3 著者 所属(和/英) | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Research Laboratories, NEC Corporation |
第 4 著者 氏名(和/英) | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara |
第 4 著者 所属(和/英) | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Research Laboratories, NEC Corporation |
発表年月日 | 2002/1/9 |
資料番号 | 2001-ED-188,2001-MW-143,2001-ICD-185 |
巻番号(vol) | vol.101 |
号番号(no) | 555 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |