講演名 2002/1/9
高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
分島 彰男, 大田 一樹, 松永 高治, 葛原 正明,
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抄録(和) 本論文では、InGaPをチャネル層に用いたField-Modulating Plate(FP-)MESFET(InGaP FP-MESFET)の高電圧動作により得られた高い出力電力密度及び低歪み特性を報告する。今回作製したInGaP FP-MESFETは超高耐圧特性(BV_=100V)を有し、これまで開発してきたGaAsチャネルFP-FETより高電圧動作(Vd=55V)が可能であった。これにより、1.95GHzにおけるRF出力特性で出力電力密度1.6W/mmという高い出力電力密度を得た。飽和出力から8dBバックオフした出力における3次変調歪みは-31dBcを達成した。これらの結果から、InGaP FP-MESFETは携帯電話基地局向け素子として有望であるといえる。
抄録(英) This paper describes high power density and low distortion characteristics of an InGaP channel field-modulating plate (FP-) MESFET (InGap FP-MESFET) under high voltage operation. The developed FP-MESFET exhibited and extremely high breakdown voltage of 100 V and delivered and output power density of 1.6 W/mm at 1.95 GHz operated at a drain bias (Vd) of 55 V. A 3rd-order intermodulation distortion (IM3) of -31 dBc was also achieved at an 8 dB back-off point from saturation power. These results show the developed FET is suited for applications in a cellular base station.
キーワード(和) InGaP / Field-Modulating Plate / FET / 耐圧 / 歪み
キーワード(英) InGap / Field-Modulating Plate / FET / break-down voltage / distortion
資料番号 2001-ED-188,2001-MW-143,2001-ICD-185
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2002/1/9(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
サブタイトル(和)
タイトル(英) InGaP Channel Field-Modulating Plate FET under High Voltage Operation
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) InGaP / InGap
キーワード(2)(和/英) Field-Modulating Plate / Field-Modulating Plate
キーワード(3)(和/英) FET / FET
キーワード(4)(和/英) 耐圧 / break-down voltage
キーワード(5)(和/英) 歪み / distortion
第 1 著者 氏名(和/英) 分島 彰男 / Akio Wakejima
第 1 著者 所属(和/英) NEC光・無線デバイス研究所
Photonic and Wireless Research Laboratories, NEC Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 大田 一樹 / Kazuki Ota
第 2 著者 所属(和/英) NEC光・無線デバイス研究所
Photonic and Wireless Research Laboratories, NEC Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 松永 高治 / Kohji Matsunaga
第 3 著者 所属(和/英) NEC光・無線デバイス研究所
Photonic and Wireless Research Laboratories, NEC Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara
第 4 著者 所属(和/英) NEC光・無線デバイス研究所
Photonic and Wireless Research Laboratories, NEC Corporation
発表年月日 2002/1/9
資料番号 2001-ED-188,2001-MW-143,2001-ICD-185
巻番号(vol) vol.101
号番号(no) 555
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日