| 講演名 | 2002/1/9 GaN HEMTの電流コラプス 大野 雄高, 岸本 茂, 前澤 宏一, 水谷 孝, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HEMTにドレイン電流コラプスについて、電気的特性の測定と光照射実験からその機構を考察した。電気的特性評価では、ゲート電圧ストレスにより生じる大きなコラプスについて注目し、コラプスの大きさのストレス電圧依存性と印加時間依存性、およびコラプスの回復時間を調べた。光照射実験では、空間分解した光を素子に部分的に照射しコラプスの原因となるトラップの存在する領域を調べた。その結果から、ゲートードレイン間の表面準位に電子が蓄積し、仮想的なゲートを形成することによりコラプスが生じることを述べる。 |
| 抄録(英) | We have investigated a drain current collapse in GaN HEMTs by means of electrical characterizations and its response to illumination. It has been pointed out that a serious current collapse occurs when a stress of negative gate voltage is applied to the device. Dependences of the current collapse on stress voltage and on stressing time were measured. The region where traps responsible for the collapse exist was investigated by illumination of spatially resolved light to the device. The results suggest the collapse is caused by the virtual gate which is formed between drain and gate due to electrons trapped in surface states. |
| キーワード(和) | GaN HEMT / 電流コラプス / 光応答特性 / 表面トラップ |
| キーワード(英) | GaN HEMT / current collapse / photoresponse / surface trap |
| 資料番号 | 187-ED-2001,2001-MW-142,2001-ICD-184 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2002/1/9(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN HEMTの電流コラプス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current Collapse in GaN HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 電流コラプス / current collapse |
| キーワード(3)（和/英） | 光応答特性 / photoresponse |
| キーワード(4)（和/英） | 表面トラップ / surface trap |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大野 雄高 / Yutaka OHNO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagaya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岸本 茂 / Shigeru KISHIMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagaya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 前澤 宏一 / Koichi MAEZAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagaya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi MIZUTANI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagaya University |
| 発表年月日 | 2002/1/9 |
| 資料番号 | 187-ED-2001,2001-MW-142,2001-ICD-184 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 555 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |