講演名 2002/1/9
熱酸化膜を用いたMOS型AlGaN/GaN系ヘテロ構造FET
井上 薫, 池田 義人, 正戸 宏幸, 松野 年伸, 西井 勝則,
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抄録(和) ゲート絶縁膜に熱酸化膜を用いたMOS型AlGaN/GaN系へテロ構造FETを初めて作製しその動作を確認した。熱酸化により、ドレイン電流は低下する傾向にあったが400mA/mmのドレイン電流が得られ、ゲート・ドレイン間の耐圧は130V以上を示した。デバイスの静特性は50V以上のドレイン電圧でも安定であり、熱酸化によるデバイス特性への悪影響は観察されなかった。さらにドープトチャンネル構造のAlGaN/GaNへテロ構造を用いてMOS HFETを作製したところ最大ドレイン電流値としてゲート電圧4Vにおいて900mA/mmが得られ、エピ構造の工夫により高電流特性も可能であることを示した。またゲートリーク電流は熱酸化膜が厚いほど顕著に減少しMOS構造によるゲートリーク電流低減効果が明らかとなった。以上の結果から熱酸化膜はゲート酸化膜だけでなくパッシベーション膜としても適用できるものと考えられる。
抄録(英) AlGaN/GaN MOS HFETs with gate oxides formed by direct thermal oxidation of AlGaN/GaN epi layers have been developed for the first time. The fabricated MOS HFETs have exhibited high breakdown voltages, low gate leakage currents and stable operation at high drain voltages. Although MOS HFET with an undoped channel structure showed a reduced maximum drain current of 4OOmA/mm, higher drain currents up to 9OOmA/mm has been obtained by adopting a doped-channel structure. The gate leakage current has markedly decreased with the increase of the gate-oxide thickness, clearly showing the effectiveness of MOS structures in reducing gate leakage currents. The stable device operations at high drain voltages indicate that the trap density at the interface between the thermal oxide and epi layers will be low and the thermal oxide can be also used as a passivation film.
キーワード(和) ゲート絶縁膜 / 熱酸化膜 / AlGaN/GaN / MOS / HFET / ゲートリーク電流 / パッシベーション膜
キーワード(英) gate insulator / thermal oxide / AlGaN/GaN / MOS / HFET / gate leakage current / passivation film
資料番号 2001-ED-186,2001-MW-141,2001-ICD-183
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2002/1/9(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 熱酸化膜を用いたMOS型AlGaN/GaN系ヘテロ構造FET
サブタイトル(和)
タイトル(英) Novel AlGaN/GaN Mos HFETs with Thermally Grown Gate Oxide
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ゲート絶縁膜 / gate insulator
キーワード(2)(和/英) 熱酸化膜 / thermal oxide
キーワード(3)(和/英) AlGaN/GaN / AlGaN/GaN
キーワード(4)(和/英) MOS / MOS
キーワード(5)(和/英) HFET / HFET
キーワード(6)(和/英) ゲートリーク電流 / gate leakage current
キーワード(7)(和/英) パッシベーション膜 / passivation film
第 1 著者 氏名(和/英) 井上 薫 / Y. Ikeda
第 1 著者 所属(和/英) 松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 池田 義人 / K. Inoue
第 2 著者 所属(和/英) 松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 正戸 宏幸 / H. Masato
第 3 著者 所属(和/英) 松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 松野 年伸 / T. Matsuno
第 4 著者 所属(和/英) 松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
第 5 著者 氏名(和/英) 西井 勝則 / K. Nishii
第 5 著者 所属(和/英) 松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
発表年月日 2002/1/9
資料番号 2001-ED-186,2001-MW-141,2001-ICD-183
巻番号(vol) vol.101
号番号(no) 555
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日