| 講演名 | 2002/1/9 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET 安藤 裕二, 岡本 康宏, 宮本 広信, 中山 達峰, 笠原 健資, 葛原 正明, |
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| 抄録(和) | 薄層化サファイア基板上にSiN保護膜付きAlGaN/GaNへテロ接合FETを作製した。L帯ロードプル測定により、基板厚50μmのゲート幅16mmのFETはドレイン電圧26VにてCW出力22.6W(1.4W/mm)、電力付加効率41.9%、線形利得9.4dBを示した。また、基板厚50μmのゲート幅32mmのFETではドレイン電圧40Vにてパルス出力113W(3.5W/mm)が得られた。我々が知る限り、出力113Wは基板を問わずGaN系デバイスの最高出力であり、薄層化サファイア上GaN技術の優位性を示している。 |
| 抄録(英) | SiN-passivated AlGaN/GaN heterojunction FETs were fabricated on a thinned sapphire substrate. L-band load-pull measurements showed 22.6W (1.4 W/mm) CW power, 41.9% PAE, and 9.4 dB linear gain for a 16 mm-wide device on a 50 μm-thick sapphire biased at Vds=26 V. Also, a 32 mm-wide device on a 50 μm-thick sapphire, measured under pulsed operation, demonstrated 113 W (3.5 W/mm) pulsed power at Vds=40 V. To our best knowledge, 113 W total power is the highest achieved for GaN on any substrate, establishing the validiry of the GaN-on-thinned-sapphire technology. |
| キーワード(和) | GaN / サファイア / FET |
| キーワード(英) | GaN / Sapphire / FET |
| 資料番号 | 2001-ED-185,2001-MW-140,2001-ICD-182 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2002/1/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 110 W AlGaN/Gan Heterojunction FET on Thinned Sapphire |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | サファイア / Sapphire |
| キーワード(3)（和/英） | FET / FET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安藤 裕二 / Yuji ANDO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岡本 康宏 / Yasuhiro OKAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮本 広信 / Hironobu MIYAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中山 達峰 / Tasuo NAKAYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 笠原 健資 / Kensuke KASAHARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / Masaaki KUZUHARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2002/1/9 |
| 資料番号 | 2001-ED-185,2001-MW-140,2001-ICD-182 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 555 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |