| 講演名 | 2002/1/9 AlGaN/GaN HEMTの高周波特性 佐野 芳明, 海部 勝晶, 見田 充郎, 山田 朋幸, 槙田 毅彦, 石川 博康, 江川 孝志, 神保 孝志, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | サファイア基板上に作成したリセスゲートAlGaN/GaN HEMTにおいて良好なDC、および高周波特性を得た。0.5μmゲート長のHEMTにおいて、DC特性はキンク効果や電流劣化現象もなく、相互コンダクタンス(gm)が327mS/mm、電流遮断周波数(f_T)が39GHzであった。この素子のintrinsic fTをもとめ、ゲート電極直下の実行電子速度を計算したところ、1.56x10^7cm/secという良好な値が得られた。さらに、ゲート電極の断面がT型で、ゲート長が0.21μmのHEMTを試作したところ、f_Tが57.2GHz、最大動作周波数(fmax)が108GHzという良好な特性を示した。 |
| 抄録(英) | The AlGaN/GaN HEMT with 0.5 um gate length exhibited excellent current saturation properties without no kink effect and no current degradation and high frequency characteristics. The maximum extrinsic trans-conductance was as high as 327 mS/mm. Effective electron velocity of the HEMT with 0.5um gate length calculated from intrinsic f_T (49.7GHz) was as high as 1.56 x 10^7 cm/sec. Moreover, the HEMTs with T shape recessed gate of 0.21um gate length exhibited excellent high frequency performances. A maximum unity current cut-off frequency, f_T, of 57.2 GHz and a maximum oscillation frequency, f_ |
| キーワード(和) | 窒化ガリウム / HEMT / リセスゲート / サファイア基板 / 高周波 |
| キーワード(英) | Gan / AlGan / HEMT / Recessed Gate / Sapphire / High Frequency |
| 資料番号 | 2001-ED-184,2001-MW-139,2001-ICD-181 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 2002/1/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HEMTの高周波特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / Gan |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / AlGan |
| キーワード(3)（和/英） | リセスゲート / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | サファイア基板 / Recessed Gate |
| キーワード(5)（和/英） | 高周波 / Sapphire |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐野 芳明 / Y. Sano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 沖電気工業(株)研究開発本部 Corporate Research Laboratory, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 海部 勝晶 / K. Kaifu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 沖電気工業(株)研究開発本部:UPR Corporate Research Laboratory, Oki Electric Industry Co., Ltd.:Ultra-Low-Loss Power Device Technology Research Body |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 見田 充郎 / J. Mita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 沖電気工業(株)研究開発本部:UPR Corporate Research Laboratory, Oki Electric Industry Co., Ltd.:Ultra-Low-Loss Power Device Technology Research Body |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山田 朋幸 / T. Yamada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 沖電気工業(株)研究開発本部:UPR Corporate Research Laboratory, Oki Electric Industry Co., Ltd.:Ultra-Low-Loss Power Device Technology Research Body |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 槙田 毅彦 / T. Makita |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 沖電気工業(株)研究開発本部:UPR Corporate Research Laboratory, Oki Electric Industry Co., Ltd.:Ultra-Low-Loss Power Device Technology Research Body |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / H. Ishikawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス研究センタ Nagoya Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / T. Egawa |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス研究センタ Nagoya Institute of Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / T. Jimbo |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス研究センタ Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2002/1/9 |
| 資料番号 | 2001-ED-184,2001-MW-139,2001-ICD-181 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 555 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |