| 講演名 | 2001/8/30 基板等価回路と論理回路の雑音発生モデルを用いたチップレベル基板雑音解析手法 村坂 佳隆, 永田 真, 西森 陽一, 森江 隆, 岩田 穆, |
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| 抄録(和) | 基板のモデル化方法としてF行列を用いた基板等価回路作成法, 及び雑音注入モデルとしてコンパクトな時分割寄生容量列モデルを用いたチップレベルの基板雑音解析手法を開発した。本手法を用いることにより、高速で精度の高い基板雑音波形の評価をおこなうことができる。通常のCMOS及び低雑音論理方式のディジタル回路を搭載した0.6μmCMOS, 4.5mm角の評価チップに対し基板雑音波形の解析を行った。解析精度は100ps-100μV分解能の実測結果と比較し, 平均で10%程度であった。 |
| 抄録(英) | We developed a substrate noise analysis methodology employs chip-level substrate modeling based on F-matrix computation and digital substrate-noise injection modeling with the time-series divided parasitic capacitance model.The methodology enables rapid and reliable estimations of substrate noise waveforms.And substrate noise waveforms for 0.6μm CMOS 4.5mm square chip with practical digital circuits are simulated and compared with measurements with a 100ps - 100μV resolution.Peak to peak substrate noise amplitudes are roughly with the average error of 10% compared with measurements for conventional as well as reduced substrate noise designs. |
| キーワード(和) | AD混載LSI / 基板雑音 / F行列 / 雑音注入モデル |
| キーワード(英) | Analog-Digital Mixed-signal ICs / Substrate Noise / Fundamental Matrix / Noise Injection Model |
| 資料番号 | ICD2001-79 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2001/8/30(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 基板等価回路と論理回路の雑音発生モデルを用いたチップレベル基板雑音解析手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Chip Level Substrate Noise Analysis Method with Substrate and Digital Noise Injection Models |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AD混載LSI / Analog-Digital Mixed-signal ICs |
| キーワード(2)（和/英） | 基板雑音 / Substrate Noise |
| キーワード(3)（和/英） | F行列 / Fundamental Matrix |
| キーワード(4)（和/英） | 雑音注入モデル / Noise Injection Model |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 村坂 佳隆 / Yoshitaka MURASAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社 エイアールテック A-R-Tec Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 永田 真 / Makoto NAGATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学 先端物質科学研究所 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 西森 陽一 / Youichi NISHIMORI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (現)三和工機株式会社 (Present address)Sanwa Koki Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 森江 隆 / Takashi MORIE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学 先端物質科学研究所 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩田 穆 / Atsushi IWATA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社 エイアールテック : 広島大学 先端物質科学研究所 A-R-Tec Corporation : Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2001/8/30 |
| 資料番号 | ICD2001-79 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 281 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |