| 講演名 | 2001/7/27 テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現 田中 正幸, 斎田 繁彦, 井上 文彦, 児島 学, 中西 俊郎, 須黒 恭一, 綱島 祥隆, |
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| 抄録(和) | 従来のシリコン窒化膜は, ボロンの突き抜けを引き起こし, PMOSFETを劣化させてしまう.今回, ボロンの突き抜けが, シリコン窒化膜中のSiH量に強く依存していることを初めて見出した.加えて, SiH基を持たないシリコン窒化膜をテトラクロロシラン(TCS)により形成した.SiH基の無いTCS-SiN膜の適用により, ボロンの突き抜けを抑制し, 高性能デュアルゲートDRAMを実現できることを報告する. |
| 抄録(英) | Conventional silicon nitride(SiN)films accelerate the boron penetration, which causes the degradation of PMOSFETs.It was found that the boron penetration strongly depends on SiH content in SiN films.Applications of SiHless SiN films, formed by tetrachlorosilane(TCS)and ammonia, have successfully realized the high performance of PMOSFETs in dual gate system DRAMs. |
| キーワード(和) | シリコン窒化膜 / ボロンの突き抜け / デュアルゲート / PMOSFET |
| キーワード(英) | silicon nitride / boron penetration / dual gate / PMOSFET |
| 資料番号 | SDM2001-140,ICD2001-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2001/7/27(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Realization of High Performance Dual Gate DRAMs without Boron Penetration by Application of Tetrachlorosilane Silicon Nitride Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン窒化膜 / silicon nitride |
| キーワード(2)（和/英） | ボロンの突き抜け / boron penetration |
| キーワード(3)（和/英） | デュアルゲート / dual gate |
| キーワード(4)（和/英） | PMOSFET / PMOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 正幸 / Masayuki Tanaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝 Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 斎田 繁彦 / Shigehiko Saida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東芝 Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井上 文彦 / Fumihiko Inoue |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通 Fujitsu Limited |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 児島 学 / Manabu Kojima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd., |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中西 俊郎 / Toshiro Nakanishi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd., |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 須黒 恭一 / Kyoichi Suguro |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東芝 Toshiba Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 綱島 祥隆 / Yoshitaka Tsunashima |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東芝 Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2001/7/27 |
| 資料番号 | SDM2001-140,ICD2001-63 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 249 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |