| 講演名 | 2001/7/27 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET 大嶋 一郎, 島田 浩行, 中尾 慎一, 程 イ涛, 小野 泰弘, 平山 昌樹, 須川 成利, 大見 忠弘, |
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| 抄録(和) | 450°C以下の低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/bcc-Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFETを開発した。ゲート絶縁膜あるSi_3N_4は高密度プラズマを用いた直接窒化により形成した。またゲート電極はbcc-Ta(～15μΩcm)/TaNx(bcc-Ta/TaNx)を用いてシート抵抗は1Ω/□以下である。金属ゲート電極とゲート絶縁膜界面での反応を抑えるためにソース・ドレインの活性化アニールは450°Cでおこなった。本発表では、450°C以下の低温プロセス、従来型ゲート電極構造を用いた完全空乏型SOIMNSFETを試作したので、それに関して報告する |
| 抄録(英) | We have developed a low-resistivity metal gate Metal-Nitride-Semiconductor(MNS)FET technology having conventional plane gate structure featuring fully low-temperature processing.The gate stack consists of directly grown Silicon Nitride(Si_3N_4)dielectric using high-density plasma and bcc-phase Tantalum(～15μΩcm)/Tantalum Nitride(bcc-Ta/TaNx)stacked metal gate below 1.0ohm/sq.In order to avoid deteriorating the metal gate system, we adopted a low-temperature S/D annealing by Solid Phase Epitaxy(SPE)method.In this paper, we demonstrate an excellent characteristic of Fully-Depleted Silicon-On-Dielectric(FDSOI)metal gate MNSFETs having conventional plane gate structure featuring fully low-temperature processing below 450°C. |
| キーワード(和) | Si_N4 / 高密度プラズマ / 低温プロセス / メタルゲート / タンタル / TaNx |
| キーワード(英) | Si_3N_4 / High Density Plasma / Low Temperature Processing / Metal Gate / Tantalum / TaNx |
| 資料番号 | SDM2001-139,ICD2001-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2001/7/27(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Resistivity TaNx/Ta/TaNx Metal Gate Si_3N_4-MNS Technology Featuring Low-Temperature Processing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si_N4 / Si_3N_4 |
| キーワード(2)（和/英） | 高密度プラズマ / High Density Plasma |
| キーワード(3)（和/英） | 低温プロセス / Low Temperature Processing |
| キーワード(4)（和/英） | メタルゲート / Metal Gate |
| キーワード(5)（和/英） | タンタル / Tantalum |
| キーワード(6)（和/英） | TaNx / TaNx |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大嶋 一郎 / Ichiro Ohshima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 島田 浩行 / Hiroyuki Shimada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻:セイコーエプソン株式会社 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University:SEIKO EPSON Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中尾 慎一 / Shin-ichi Nakao |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 程 イ涛 / Weitao Cheng |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小野 泰弘 / Yasuhiro Ono |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻:セイコーエプソン株式会社 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University:SEIKO EPSON Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 平山 昌樹 / Masaki Hirayama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2001/7/27 |
| 資料番号 | SDM2001-139,ICD2001-62 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 249 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |