| 講演名 | 2001/7/27 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性 大黒 達也, 永野 剛之, 藤原 実, 高柳 万里子, 清水 敬, 百瀬 寿代, 中村 新一, 豊島 義明, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 最近、ゲートリークを抑制するために高濃度窒化ゲート絶縁膜が提案されているが、今回、1/f noiseの窒化濃度依存性について考察した。その結果から、1999ITRS road mapで要求されている1/f noiseを満たすための界面準位密度を明らかにすることができた。また、1/f noiseの温度変化から表面型チャネルPMOSの1/f noiseが、窒化濃度の増加に伴い、大きく劣化するのは、valence band内に界面準位密度の増加があることが分かった。 |
| 抄録(英) | There are limitations of interface state density at oxynitride/Si substrate in order to satisfy 1999 road map requirements.Because 1/f noise and ft value in S.C PMOS degrade due to higher-density interface state density inside the valence band.A buried channel type MOSFET is effective for suppressing these degrations. |
| キーワード(和) | オキシナイトライド / フリッカーノイズ / カットオフ周波数 / 埋め込み型チャネル |
| キーワード(英) | oxynitride / 1/f noise / fT / buried channel type |
| 資料番号 | SDM2001-138,ICD2001-61 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 2001/7/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study of analog characteristics of CMOS with heavily nitrided NO oxynitrides |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | オキシナイトライド / oxynitride |
| キーワード(2)（和/英） | フリッカーノイズ / 1/f noise |
| キーワード(3)（和/英） | カットオフ周波数 / fT |
| キーワード(4)（和/英） | 埋め込み型チャネル / buried channel type |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大黒 達也 / Tatsuya Ohguro |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター Toshiba corporation, Semiconductor company, System LSI Research & Development Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 永野 剛之 / Takeshi Nagano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター Toshiba corporation, Semiconductor company, System LSI Research & Development Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤原 実 / Makoto Fujiwara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター Toshiba corporation, Semiconductor company, System LSI Research & Development Center |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高柳 万里子 / Mariko Takayanagi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター Toshiba corporation, Semiconductor company, System LSI Research & Development Center |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 清水 敬 / Kei Shimizu |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター Toshiba corporation, Semiconductor company, System LSI Research & Development Center |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 百瀬 寿代 / Hisayo Momose |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター Toshiba corporation, Semiconductor company, System LSI Research & Development Center |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中村 新一 / Shininchi Nakamura |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター Toshiba corporation, Semiconductor company, System LSI Research & Development Center |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 豊島 義明 / Yoshiaki Toyoshima |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター Toshiba corporation, Semiconductor company, System LSI Research & Development Center |
| 発表年月日 | 2001/7/27 |
| 資料番号 | SDM2001-138,ICD2001-61 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 249 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |