| 講演名 | 2001/7/27 シリコン・イオン注入したゲート酸化膜における界面準位測定法の比較 松田 敏弘, 武澤 亮介, 荒川 和典, 安田 昌弘, 大曽根 隆志, 亀田 悦正, |
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| 抄録(和) | n-MOSFETのゲート酸化膜への高濃度のシリコン・イオン注入およびボロン・チャネル・ドーズが界面準位密度に及ぼす影響を、高・低周波容量法、サブ・スレッショールド電流法、チャージ・ポンピング法の3種類の方法によって評価し、比較した。ボロン・チャネル・ドーズは、ほとんど界面準位密度に影響を与えなかった。シリコン・イオン注入条件の変化に対しては、いずれの方法で求めた界面準位密度もほぼ同様の傾向を示すが、高・低周波容量法での測定値がやや低くなった。 |
| 抄録(英) | Effects of channel B-implantation before gate oxidation and heavy Si-implantation into the gate-SiO_2 on interface trap density D_it distribution in the energy gap for n-MOSFETs are analyzed by the following three different meansurement methods;(I)high-low frequency capacitance, (II)subthreshold current, and(III)charge pumping.These threee methods produce the similar results of D_it.They indicate that the channel B~+-dose scarcely has much effect on D_it at midgap and increases as the larger amount of Si-dose gives the increase of the D_it.The method I can provide D_it distribution across the majority of the bandgap and may cause an underestimation of D_it.The method II is convenient with a reasonable accuracy due to the simple DC measurement. |
| キーワード(和) | MOSFET / ゲート酸化膜 / 界面準位密度 / シリコン / イオン注入 |
| キーワード(英) | MOSFET / gate oxide / interface trap density / silicon / ion implantation |
| 資料番号 | SDM2001-136,ICD2001-59 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2001/7/27(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | シリコン・イオン注入したゲート酸化膜における界面準位測定法の比較 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Comparison of Measurement Methods of Interface Trap Density for n-MOSFETs with Si-Implanted Gate-SiO_2 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | ゲート酸化膜 / gate oxide |
| キーワード(3)（和/英） | 界面準位密度 / interface trap density |
| キーワード(4)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(5)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松田 敏弘 / Toshiro Matsuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富山県立大学 工学部 電子情報工学科 Department of Electronics and Informatics, Toyama Prefectural University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武澤 亮介 / Ryosuke Takezawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富山県立大学 工学部 電子情報工学科 Department of Electronics and Informatics, Toyama Prefectural University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 荒川 和典 / Kazunori Arakawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富山県立大学 工学部 電子情報工学科 Department of Electronics and Informatics, Toyama Prefectural University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安田 昌弘 / Masahiro Yasuda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富山県立大学 工学部 電子情報工学科 Department of Electronics and Informatics, Toyama Prefectural University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大曽根 隆志 / Takashi Ohzone |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富山県立大学 工学部 電子情報工学科 Department of Electronics and Informatics, Toyama Prefectural University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 亀田 悦正 / Etsumasa Kameda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富山工業高等専門学校 電機工学科 Department of Electrical Engineering, Toyama National College of Technology |
| 発表年月日 | 2001/7/27 |
| 資料番号 | SDM2001-136,ICD2001-59 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 249 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |