| 講演名 | 2001/1/11 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化 篠原 啓介, 広瀬 信光, 東脇 正高, 松井 敏明, 山下 良美, 彦坂 康己, 三村 高志, 冷水 佐壽, |
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| 抄録(和) | 周波数の高いミリ波には、一度に大容量の情報を伝送し、比較的小さなアンテナでも高い指向性を容易に実現できる等の特徴があるため、近年ミリ波を用いた新しい高速無線通信システムが提案され、実用化に向けて研究が進められている。InP系HEMTはこれらのシステムを実現するためのキーデバイスである。我々はこれまでに3層レジストを用いた簡便なリフトオフプロセスおよび低温プロセスの導入により、ゲート長50nmのT型ゲートを有するHEMTにおいて遮断周波数362GHzの優れた特性を実現した。本研究ではさらに微細なゲートを有する素子実現を目指して、微細T型ゲートの加工条件の最適化を行い、レジストパターン15でnm、実際の素子で35nmまでの微細なゲートを作製する技術を確立した。 |
| 抄録(英) | InP-based InGaAs/InAlAs high electron mobility transistors (HEMTs) are considered to be one of the most promising devices for millimeter-wave radio communications because of their superior high frequency and low-noise performances. This is due to high electron mobility, high saturation velocity. and high sheet carrier density obtained in this system. A shorrrter gate is also essential for ultra-high RF performances. In our previous work, RF performances have been significantly improved by reducing gate length (Lg) down to 50 nm using a simple lift-off process and a low temperature process. In this paper, we have developed a sub-50-nm T-shaped-gate fabrication technique using a conventional tri-layer resist system by optimizing electron beam (EB) lithography and reactive ion etching (RIE) conditions, demonstrating a cutoff frequency (fT) as high as 318 GHz in a 35-nm-gate HEMT. |
| キーワード(和) | T型ゲート / HEMT / ミリ波 / サブミリ波 / 遮断周波数 |
| キーワード(英) | T-shaped gate / HEMT / millimeter-wave / sub-millimeter-wave / cutoff frequency |
| 資料番号 | ED2000-233,MW2000-182,ICD2000-193 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2001/1/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultra-Short T-shaped gate fabrication technique for sub-millimeter-wave InP-HEMTs : Optimization of process conditions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | T型ゲート / T-shaped gate |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | ミリ波 / millimeter-wave |
| キーワード(4)（和/英） | サブミリ波 / sub-millimeter-wave |
| キーワード(5)（和/英） | 遮断周波数 / cutoff frequency |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 篠原 啓介 / Keisuke Shinohara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 郵政省通信総合研究所 Cmmunications Research Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 広瀬 信光 / Nobumitsu Hirose |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 郵政省通信総合研究所 Cmmunications Research Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 東脇 正高 / Masataka Higashiwaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 郵政省通信総合研究所 Cmmunications Research Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松井 敏明 / Toshiaki Matsui |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 郵政省通信総合研究所 Cmmunications Research Laboratory |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山下 良美 / Yoshimi Yamashita |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Limited |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 彦坂 康己 / Kouki Hikosaka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Limitedr |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 三村 高志 / Takashi Mimura |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Limited |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 冷水 佐壽 / Satoshi Hiyamizu |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 大阪大学 Osaka University |
| 発表年月日 | 2001/1/11 |
| 資料番号 | ED2000-233,MW2000-182,ICD2000-193 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 554 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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