| 講演名 | 2001/1/11 高出力・低歪み非対称LDD構造パルスドープFETの開発 中田 健, 乙部 健二, 中島 成, |
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| 抄録(和) | FETの破壊電圧を律速しているインパクトイオン化の発生を抑制する為、パルストープFETのドレイン側にのみn′注入層を設けた非対称LDD構造を採用した。n′注入層の条件を最適化することにより、FETのオン耐圧を22V以上へと改善させ、高バイアス動作を可能として15V動作時に905mW/mmの高出力特性を達成した。インパクトイオン化によるIV曲線のキンクが減少したことにより歪み特性も改善され、Push-pull動作においてIM3=-35dBc, PAE=39.5%(Wg=20.8mm×2、Vd=10V)の低歪み、高特性を達成した。 |
| 抄録(英) | We have adopted an asymmetric LDD structure to pulse-doped FET. An n′implanted region was optimized to reduce effect of impact ionization phenomenon. As a result, an on state breakdown voltage was improved to over 22V, and a saturation output power of 905mW/mm was achieved at 15V operation. The Inearity of gm and gd were also improved, and then highest PAE of 39.5% at low back off (IM3=-35dBc) was achieved. |
| キーワード(和) | MESFET / 移動体通信 / 低歪み特性 / インパクトイオン化 |
| キーワード(英) | MESFET / Digital wireless communication / Low distortion / High output power / Impact ionization |
| 資料番号 | ED2000-227,MW2000-176,ICD2000-187 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2001/1/11(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高出力・低歪み非対称LDD構造パルスドープFETの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-Distortion and High Output Power Pulse-doped GaAs MESFETs with Asymmetric LDD structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MESFET / MESFET |
| キーワード(2)（和/英） | 移動体通信 / Digital wireless communication |
| キーワード(3)（和/英） | 低歪み特性 / Low distortion |
| キーワード(4)（和/英） | インパクトイオン化 / High output power |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中田 健 / K. Nakata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電工高周波機能デバイス開発部 Advanced High-speed Devices Business Department, Sumitomo Electric Industry, LTD |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 乙部 健二 / K. Otobe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電工高周波機能デバイス開発部 Advanced High-speed Devices Business Department, Sumitomo Electric Industry, LTD |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中島 成 / S. Nakajima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電工高周波機能デバイス開発部 Advanced High-speed Devices Business Department, Sumitomo Electric Industry, LTD |
| 発表年月日 | 2001/1/11 |
| 資料番号 | ED2000-227,MW2000-176,ICD2000-187 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 554 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |