| 講演名 | 2001/1/11 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET 松永 高治, 石倉 幸治, 竹中 功, 分島 彰男, 大田 一樹, 金森 幹夫, 葛原 正明, |
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| 抄録(和) | 移動体通信基地局用デバイスとして、フィールドプレート(FP)を有するL帯GaAsヘテロ構造FET(HFET)を開発した。単一セルFP-HFETでは、動作電圧40Vにおいて1.7W/mmという高い飽和出力密度が得られ、FP-HFETが高バイアス動作に適していることを示した。ゲート幅86.4mmのチップ4個で構成した増幅器は、周波数2.1GHz、動作電圧22Vにおいて、出力53.6dBm(230W)、PAE42%、線形利得11dBを示した。出力46dBmにおける隣接漏洩電圧(ACPR)とPAEはそれぞれ-35dBc、25%であり、高バイアス動作での優れた線形特性を示した。この増幅器の飽和出力密度0.67W/mmは、200W級デバイスの過去最高値である。 |
| 抄録(英) | This paper describes an L-band depletion-mode GaAs-based heterostructure FET (HFET) with a field-modulating plate (FP) for cellular base station applications. A one-cell FP-HFET demonstrated an output power density of 1.7W/mm at a drain bias of 40V, indicating strong potential for high voltage operation. An FP-HFET power amplifier, consisting of four 86.4mm gate-width chips, delivered a 53.6dBm (230W) output power at 2.1GHz with 11dB linear gain and 42% PAE operated at a drain bias of 22V. A low adjacent channel power ration (ACPR) of-35dBc with 25% PAE was obtained at an output power of 46dBm, indicating superior linearity characteristics under elevated drain bias conditions. The device also exhibited a record saturated power density of 0.67W/mm. |
| キーワード(和) | GaAs HFET / フィールドプレート / マイクロ波 / 高出力電力 / 高動作電圧 / 低歪み |
| キーワード(英) | GaAs HFET / field plate / microwave / high power / high bias / low distortion |
| 資料番号 | ED2000-226,MW2000-175,ICD2000-186 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2001/1/11(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Bias voltage Operation High Power GaAs FP-HFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs HFET / GaAs HFET |
| キーワード(2)（和/英） | フィールドプレート / field plate |
| キーワード(3)（和/英） | マイクロ波 / microwave |
| キーワード(4)（和/英） | 高出力電力 / high power |
| キーワード(5)（和/英） | 高動作電圧 / high bias |
| キーワード(6)（和/英） | 低歪み / low distortion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松永 高治 / K. Matsunaga |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石倉 幸治 / K. Ishikura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC化合物デバイス事業部 Compound Semiconductor Device Division NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹中 功 / I. Takenaka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC化合物デバイス事業部 Compound Semiconductor Device Division NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 分島 彰男 / A. Wakejima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大田 一樹 / K. Ota |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories NEC Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 金森 幹夫 / M. Kanamori |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NEC化合物デバイス事業部 Compound Semiconductor Device Division NEC Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / M. Kuzuhara |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2001/1/11 |
| 資料番号 | ED2000-226,MW2000-175,ICD2000-186 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 554 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |