講演名 2001/1/10
10Gb/sフリップフロップ内臓分布型EA変調器駆動IC
宮下 美代, 山本 和也, 松原 司, 安東 幸司, 岡田 規男, 本島 邦明, 武本 彰,
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抄録(和) 量産性に適した0.2μm AlGaAs/InGaAs p-HEMTを用いて10Gb/sフリップフロップ内蔵分布型EA変調器駆動ICを開発した.駆動回路部分に分布型増幅器を適用することにより, 2.5V_以上の大出力振幅時における高速動作と良好な出力反射減衰特性を実現した.設計・試作の結果、電源電圧-5.2V, 伝送速度10Gb/sにおいて, 本ICは出力振幅2.9V_、立ち上がり/立ち下がり時間22/21ps, 20GHzまでの出力反射減衰量-14dB以下という良好な特性を得た.これらの特性は, 同一ウエハ上に試作した集中定数型ドライバに比べて, tr/tfで2倍の高速化, 出力反射減衰量で8dBの改善結果を示した.
抄録(英) A 10-Gb/s distributed driver(DD)IC containing a D-flip-flop function has been developed for EA modulators using production-level 0.2-μm A1GaAs/InGaAs pseudomorphic HEMTs. The application of the distributed amplifier configuration to the driver enhances highh speed opehration with the high output voltages of over 2.5V_and improves the output return loss. The IC shows good measured characteristics with an output voltage of 2.9V_and a rise/fall time (tr/tf) of 22/21 ps at 10Gb/s using a -5.2V power supply. The output return loss of the IC is less than-14 dB over a wide frequency range up to 20 GHz. These experimental results reveal that the tr/tf is about twice faster and the output return loss is over 8 dB better than those of the lumped element type driver(LE-D), which was also designed and fabricated in this study to compare with the DD's characteristics.
キーワード(和) ドライバ / EA変調器 / 分布型増幅器 / 光通信 / AlGaAs/InGaAsp-HEMT
キーワード(英) Driver / EA modulator / Distributed amplifier / Optical fiber link / AlGaAs/InGaAs p-HEMT
資料番号 ED2000-223,MW2000-172,ICD2000-183
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2001/1/10(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 10Gb/sフリップフロップ内臓分布型EA変調器駆動IC
サブタイトル(和)
タイトル(英) A 10-Gb/s AlGaAs/InGaAs p-HEMT Distributed EA Driver with a D-Fllip-Flop for Optical Fibar Links
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ドライバ / Driver
キーワード(2)(和/英) EA変調器 / EA modulator
キーワード(3)(和/英) 分布型増幅器 / Distributed amplifier
キーワード(4)(和/英) 光通信 / Optical fiber link
キーワード(5)(和/英) AlGaAs/InGaAsp-HEMT / AlGaAs/InGaAs p-HEMT
第 1 著者 氏名(和/英) 宮下 美代 / Miyo MIYASHITA
第 1 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
High Frequency & Optical Semiconductor Division, Mitsubishi Electric Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 山本 和也 / Kazuya YAMAMOTO
第 2 著者 所属(和/英) システムLSI事業化推進センター
System LSI Development Center
第 3 著者 氏名(和/英) 松原 司 / Tsukasa MATSUBARA
第 3 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
High Frequency & Optical Semiconductor Division, Mitsubhi Electeic Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 安東 幸司 / Koji ANDOH
第 4 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
High Frequency & Optical Semiconductor Division, Mitsubhi Electeic Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 岡田 規男 / Norio OKADA
第 5 著者 所属(和/英) 情報技術総合研究所
Infomation Technology R&D Center
第 6 著者 氏名(和/英) 本島 邦明 / Kuniaki MOTOSHIMA
第 6 著者 所属(和/英) 情報技術総合研究所
Infomatlon Technoiogy R&D Center
第 7 著者 氏名(和/英) 武本 彰 / Akira TAKEMOTO
第 7 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
High Frequency & Optical Semiconductor Division, Mitsubhi Electeic Corporation
発表年月日 2001/1/10
資料番号 ED2000-223,MW2000-172,ICD2000-183
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 553
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
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