講演名	2000/12/1 I_故障診断方式を用いたCMOS製造工程における欠陥箇所特定とそのモード分類 真田 克, 植平 和生, 布施 英悟,
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抄録(和)	LSI内部に発生した物理欠陥の存在を示すI_異常情報を用いた診断方式を適用して、外観検査装置にて検出した任意プロセス毎の異常箇所から致命的欠陥箇所を特定するシステムを開発し、ロジック製造工程に適用する。まず、LSI内部に発生した多様なリーク故障に対するI_異常値の識別と、外観異常箇所の位置のずれ補正がなされた後、診断を実施する。ロジックLSI量産ラインにおける致命的欠陥箇所の特定から、工程別の欠陥検出率、欠陥のモード分類、外観異常箇所と故障有無の関係を明らかにする。
抄録(英)	We have developed the diagnosis system to detect the fatal defect portions by using abnormal I_ information, being signal to presence a physical damages in the LSI circuit. This system, applied to Logic LSI manufacturing process, detects the fatal defect in several abnormalities identified with wafer inspection apparatus. After extraction of the abnormal current from various leakage current, and cancellation out the difference between the visual portion by WIA and the LSI layout coordinate, the diagnosis are executed to detect the abnormal portion. The diagnosis result lesds the fatal defect rate of each process, defect mode classification, and the relation between visual abnormalities and fatal defects by SEM review.
キーワード(和)	LSI / I_ / 外観検査 / 故障診断 / 製造工程
キーワード(英)	LSI / I_ / Visual Abnormalities / Fault Diagnosis / Manufacturing Process
資料番号	CPM2000-142,ICD2000-175
発行日

研究会情報
研究会	ICD
開催期間	2000/12/1(から1日開催)
開催地（和）
開催地（英）
テーマ（和）
テーマ（英）
委員長氏名（和）
委員長氏名（英）
副委員長氏名（和）
副委員長氏名（英）
幹事氏名（和）
幹事氏名（英）
幹事補佐氏名（和）
幹事補佐氏名（英）

講演論文情報詳細
申込み研究会	Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語	JPN
タイトル（和）	I_故障診断方式を用いたCMOS製造工程における欠陥箇所特定とそのモード分類
サブタイトル（和）
タイトル（英）	Defect portion detection and it's mode classification in CMOS manufacturing process using fault diagnosis technique by I_
サブタイトル（和）
キーワード(1)（和/英）	LSI / LSI
キーワード(2)（和/英）	I_ / I_
キーワード(3)（和/英）	外観検査 / Visual Abnormalities
キーワード(4)（和/英）	故障診断 / Fault Diagnosis
キーワード(5)（和/英）	製造工程 / Manufacturing Process
第 1 著者 氏名（和/英）	真田 克 / Masaru Sanada
第 1 著者 所属（和/英）	NEC 評価技術開発本部 Analysis Technology Development Division, NEC Corporation
第 2 著者 氏名（和/英）	植平 和生 / Kazuo Uehira
第 2 著者 所属（和/英）	NEC 第三システムLSI事業部・製品技術部 3rd System LSI Division, NEC Corporation
第 3 著者 氏名（和/英）	布施 英悟 / Eigo Fuse
第 3 著者 所属（和/英）	NEC LSI製造本部・第3製造部 LSI Manufacturing Division, NEC Corporation
発表年月日	2000/12/1
資料番号	CPM2000-142,ICD2000-175
巻番号（vol）	vol.100
号番号（no）	488
ページ範囲	pp.-
ページ数	7
発行日