| 講演名 | 2000/12/1 レーザビームとSQUID磁束計を組み合わせた新しい非破壊・非接触チップ検査・解析技術 : 走査レーザSQUID顕微鏡 二川 清, 井上 彰二, |
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| 抄録(和) | 完全非破壊・非接触チップ上のショートやオープンなどの電気的不良個所を検出できる走査レーザSQUID顕微鏡を考案し、装置を試作した。その構成と原理について述べた後、試作機の概要を述べた。試作機の機能をデモンストレーションするために、ゲートショートを起こしている試料を用いた。ゲートショート個所がリーク電流経路となり、ショート個所直下のp-n接合で起きるOBICの現象でリーク電流が流れ、その結果誘導された磁場で像を得ることができた。この像から、空間分解能が半値(全)幅で約1.3μm以下であることを確認した。これで、LSIチップの解析に適応可能な空間分解能に達したと言える。今回のデモンストレーションは、基板に実装した状態でベアチップ上のショート個所を検出する場合のシミュレーションになっている。最後に故障解析・不良解析ならびに工程中での検査・モニタとしての応用法について提案した。 |
| 抄録(英) | We have developed a novel inspection/analysis technique that can localize electrical defects such as short gates and open line. Basic idea of the technique is a detection of magnetic field produced by laser-beam-induced current. High T_cDC-SQUIDs are used to detect magnetic field. The spatial resolution has been demonstrated to be better than 1.3 um. This shows that this method is applicable to the inspection and analysis on LSI chips. The demonstration simulated the fault localization on a bare chip mounted on a board. How to apply this method to other types of failure analysis. inspection and process monitoring was proposed. |
| キーワード(和) | 超伝導量子干渉素子 / 磁場 / レーザビーム / 光ビーム励起電流 / ショート / 断線 / p-n接合 |
| キーワード(英) | SQUID / magnetic field / laser beam / OBIC / short defects / open defects / p-n junctions |
| 資料番号 | CPM2000-141,ICD2000-174 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2000/12/1(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レーザビームとSQUID磁束計を組み合わせた新しい非破壊・非接触チップ検査・解析技術 : 走査レーザSQUID顕微鏡 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Novel nondestructive and non-contact chip inspection and analysis technique : Scanning laser-SQUID microscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超伝導量子干渉素子 / SQUID |
| キーワード(2)（和/英） | 磁場 / magnetic field |
| キーワード(3)（和/英） | レーザビーム / laser beam |
| キーワード(4)（和/英） | 光ビーム励起電流 / OBIC |
| キーワード(5)（和/英） | ショート / short defects |
| キーワード(6)（和/英） | 断線 / open defects |
| キーワード(7)（和/英） | p-n接合 / p-n junctions |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 二川 清 / K. Nikawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電気(株) NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井上 彰二 / S. Inoue |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 情報技術開発(株) T.D.I.Co.Ltd. |
| 発表年月日 | 2000/12/1 |
| 資料番号 | CPM2000-141,ICD2000-174 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 488 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |