講演名 2000/8/18
ED2000-136 / SDM2000-118 / ICD-2000-72 低誘電率膜を用いたCuデュアルダマシン配線の形成技術
山村 育弘, 長谷川 利昭, 池田 浩一, 徳永 和彦, 深沢 正永, 鬼頭 英至, 宮田 幸児, 駒井 尚紀, 田口 充, 平野 信介, 辰巳 徹也, 門村 新吾,
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抄録(和) 次世代の配線技術として期待される有機低誘電率絶縁膜(FLARE^;K=2.8), およびMSQ(K=2.7)をデュアルダマシンプロセスに適用し, 銅の多層配線を形成した。新規デュアルハードマスクプロセスを用いて有機低誘電率膜で問題となる酸素プラズマ耐性を解決し、ハードマスクをSiO_2からMSQに置き換えることで、さらなる低誘電率化を達成した。今回作製したFLARE^、MSQを絶縁膜に用いたCu配線は、SiO_2を絶縁膜に用いたCu配線と比較しても、コンタクト抵抗、リーク電流などの電気特性が劣化なく、リングオシレータの配線遅延で、Al/SiO2配線に比べて33%高速化することを確認した。
抄録(英) Reliable Cu dual damascene(D.D.)interconnects with low-K(K_<3.0)that use an organic material(FLARE^;K=2.8)and a methyl-silsesquioxane(MSQ;K=2.7)film have been developed. We successfully substituted the MSQ for the SiO_2 as inorganic dielectrics, and decrease the K value from 4.2 to 2.7. The MSQ acts as a hard mask for etching the FLARE^an etch stop layer for forming a trench and a Cu CMP buffer layer in "Dual Hard Madk Method", which has been developed by our group. It was demonstrated by evaluating contact resistance and leakage current that the substitution does not cause any damage or degradation to the interconnect system. Low and uniform contact resistance and low leakage current were obtained without significant difference between the SiO_2/FLARE^ and the MSQ/FLARE^ systems. The effect of reducing the effective dielectric constant is demonstrated by using a ring oscillator to measure stage delay time, the wiring load length and height of which are respectively 180 mm and 450 nm. The measurement frequency is 1 MHz. It is improved by 33% in comparison with Al/SiO_2 system.
キーワード(和) 銅配線 / デュアルダマシン / デュアルハードマスク / 有機低誘電率絶縁膜 / MSQ
キーワード(英) Cu interconnects / Dual Damascene / Dual Hard Mask Method / Organic material / MSQ
資料番号 ED2000-136,SDM2000-118,ICD-2000-72
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2000/8/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 ENG
タイトル(和) ED2000-136 / SDM2000-118 / ICD-2000-72 低誘電率膜を用いたCuデュアルダマシン配線の形成技術
サブタイトル(和)
タイトル(英) ED2000-136 / SDM2000-118 / ICD-2000-72 Multilevel interconnects Technologies Using Cu and low-k Dielectrics
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 銅配線 / Cu interconnects
キーワード(2)(和/英) デュアルダマシン / Dual Damascene
キーワード(3)(和/英) デュアルハードマスク / Dual Hard Mask Method
キーワード(4)(和/英) 有機低誘電率絶縁膜 / Organic material
キーワード(5)(和/英) MSQ / MSQ
第 1 著者 氏名(和/英) 山村 育弘 / I. Yamamura
第 1 著者 所属(和/英) ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
LSI Business & Technology Development Group, C.N.C.Sony Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 長谷川 利昭 / T. Hasegawa
第 2 著者 所属(和/英) ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
LSI Business & Technology Development Group, C.N.C.Sony Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 池田 浩一 / K. Ikeda
第 3 著者 所属(和/英) ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
LSI Business & Technology Development Group, C.N.C.Sony Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 徳永 和彦 / K. Tokunaga
第 4 著者 所属(和/英) ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
LSI Business & Technology Development Group, C.N.C.Sony Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 深沢 正永 / M. Fukasawa
第 5 著者 所属(和/英) ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
LSI Business & Technology Development Group, C.N.C.Sony Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 鬼頭 英至 / H. Kito
第 6 著者 所属(和/英) ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
LSI Business & Technology Development Group, C.N.C.Sony Corporation
第 7 著者 氏名(和/英) 宮田 幸児 / K. Miyata
第 7 著者 所属(和/英) ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
LSI Business & Technology Development Group, C.N.C.Sony Corporation
第 8 著者 氏名(和/英) 駒井 尚紀 / N. Komai
第 8 著者 所属(和/英) ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
LSI Business & Technology Development Group, C.N.C.Sony Corporation
第 9 著者 氏名(和/英) 田口 充 / M. Taguchi
第 9 著者 所属(和/英) ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
LSI Business & Technology Development Group, C.N.C.Sony Corporation
第 10 著者 氏名(和/英) 平野 信介 / S. Hirano
第 10 著者 所属(和/英) ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
LSI Business & Technology Development Group, C.N.C.Sony Corporation
第 11 著者 氏名(和/英) 辰巳 徹也 / T. Tatsumi
第 11 著者 所属(和/英) ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
LSI Business & Technology Development Group, C.N.C.Sony Corporation
第 12 著者 氏名(和/英) 門村 新吾 / S. Kadomura
第 12 著者 所属(和/英) ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
LSI Business & Technology Development Group, C.N.C.Sony Corporation
発表年月日 2000/8/18
資料番号 ED2000-136,SDM2000-118,ICD-2000-72
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 270
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
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