| 講演名 | 2000/8/17 ED2000-110 / SDM2000-92 / ICD2000-46 アクセスタイム60nsの低消費電力、混載用32kB 3トランジスタフラッシュメモリ(TTF) 二山 拓也, 今宮 賢一, 野田 潤一郎, 池橋 民雄, 市川 真樹, 岩田 彰, |
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| 抄録(和) | IC カード用の不揮発性メモリとして、従来使われてきた EEPROM にかえ、Three-Transistor Flash(TTF)を開発した。データ書き換えをチャネルFNトンネル電流で行うことにより、EEPROMの1/8のメモリセルサイズと低消費電力を同時に実現した。本発表ではTTFを駆動するためのセンスアンプ回路およびロウデコーダ回路に関して報告する。 |
| 抄録(英) | Three-Transistor Flash(TTF)is developed for embedded applications to smart cards, as the alternative to conventional EEPROMs. 1/8 memory cell size compared to conventional EEPROMs and low power consumption are simultaneously realized by erase/program of the cell data through the channel Fouler Nordheim(FN)tunneling current. We also present two circuit technologies in the Sense Amplifier and the Row Decoder of TTF. |
| キーワード(和) | ICカード / EEPROM / TTF / プリチャージレベルレギュレータ / 二段階セルフブースト方式 |
| キーワード(英) | smart cards / EEPROM / TTF / Precharge Level Regulator / Double Stage Boosting |
| 資料番号 | ED2000-110,SDM2000-92,ICD2000-46 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2000/8/17(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ED2000-110 / SDM2000-92 / ICD2000-46 アクセスタイム60nsの低消費電力、混載用32kB 3トランジスタフラッシュメモリ(TTF) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ED2000-110 / SDM2000-92 / ICD2000-46 A60ns Access 32kByte Three-Transistor Flash(TTF)for Low Power Embedded Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ICカード / smart cards |
| キーワード(2)（和/英） | EEPROM / EEPROM |
| キーワード(3)（和/英） | TTF / TTF |
| キーワード(4)（和/英） | プリチャージレベルレギュレータ / Precharge Level Regulator |
| キーワード(5)（和/英） | 二段階セルフブースト方式 / Double Stage Boosting |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 二山 拓也 / Takuya Futatsuyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社メモリ事業部 Memory Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 今宮 賢一 / Kenichi Imamiya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社メモリ事業部 Memory Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野田 潤一郎 / Junichiro Noda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 池橋 民雄 / Tamio Ikehashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社メモリ事業部 Memory Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 市川 真樹 / Masaki Ichikawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岩田 彰 / Akira Iwata |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2000/8/17 |
| 資料番号 | ED2000-110,SDM2000-92,ICD2000-46 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 269 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |