| 講演名 | 2000/5/5 3Dグラフィックスに適したRead/Write同時動作が可能な0.18um混載DRAMマクロ 野田 英行, 山崎 彰, 藤野 毅, 林 勇, 渡邊 直也, 有本 和民, 尾崎 英之, |
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| 抄録(和) | 3Dグラフィックスコントローラに用いられるロジック混載DRAMでは、非常に高いデータレートが要求される。今回、デュアルポートセンスアップ、I / O線スペア置換方式のコラムリダンダンシー等の設計技術を用いて、混載DRAMマクロを高速化する設計手法を紹介する。これらの手法を用いて200MHz以上でCASレイテンシ2サイクルのアクセスが可能な混載DRAMマクロを試作した。またデュアルポートセンスアップの採用により、1サイクル内でのRead / Write同時動作が可能となり、実効的なデータレートが大幅に向上した。 |
| 抄録(英) | It is desired to develop an embedded DRAM(eDRAM)macro with a very high data rate for 3D graphics controllers. In this work, the design technique that accelerate the eDRAM macro by use of the dual-port sense amplifier and the data line replacement column redundancy will be introduced. Due to the use of the dual-port sense amplifier, an embedded DRAM macro which achieves 2cycles column latency(CL)at over 200MHz has developped. A concurrent read / write operation also has been achieved and the effective data rate has become twice as much as that of conventional configuration. |
| キーワード(和) | 混載DRAM / デュアルポート / センスアンプ / Read / Write同時動作 |
| キーワード(英) | embedded DRAM / dual-port / sense amplifier / concurrent read / write operation |
| 資料番号 | ICD2000-27 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2000/5/5(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 3Dグラフィックスに適したRead/Write同時動作が可能な0.18um混載DRAMマクロ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 0.18um embedded DRAM macro with concurrent read/write operation suitable for 3D graphics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 混載DRAM / embedded DRAM |
| キーワード(2)（和/英） | デュアルポート / dual-port |
| キーワード(3)（和/英） | センスアンプ / sense amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | Read / concurrent read |
| キーワード(5)（和/英） | Write同時動作 / write operation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野田 英行 / H. Noda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山崎 彰 / A. Yamazaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤野 毅 / T. Fujino |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 林 勇 / I. Hayashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 渡邊 直也 / N. Watanabe |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 有本 和民 / K. Arimoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 尾崎 英之 / H. Ozaki |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2000/5/5 |
| 資料番号 | ICD2000-27 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 42 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |