講演名 | 2000/4/14 ビット線直接読み出し方式を用いたチャネル消去型1.8V単一電源32MビットNORフラッシュメモリ 高野 芳徳, 梅沢 明, 丹沢 徹, 田浦 忠行, 志賀 仁, 宮葉 武史, 松井 法晴, 渡部 浩, 磯辺 和亜樹, 北村 章太, 山田 誠司, 斎藤 雅伸, 森 誠一, 渡辺 寿治, 渥美 滋, |
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抄録(和) | 本デバイスでは0.25μm CMOS技術とチャネル消去方式を採用することで最小セルサイズ0.49μm^2を実現した。チャネル消去方式に伴った消去後のワード線負電位とウェル正電位の放電時の問題点とそれを解決するブロックデコーダ回路の説明を行う。また電源電圧1.8Vにおいて高速アクセス(90ns)を実現するためワード線昇圧Pool方式とビット線直接読み出し方式を採用したので説明する。 |
抄録(英) | A 1.8V only 32Mb NOR flash EEPROM has been developed. A channel erasing scheme has been implemented to realize smallest cell size of 0.49μm^2 for 0.25μm CMOS technology. A block decorder circuit with a novel erase-reset sequence has been designed for the channel-erasing operation. A fast access time of 90ns@1.8V has been successfully obtained by a bit line direct sensing scheme, a word line boosted voltage pooling method. |
キーワード(和) | フラッシュメモリ / チャネル消去 / センスンプ / ワード線昇圧 |
キーワード(英) | flash EEPROM / channel erasing / sense amplifier / word line boosted |
資料番号 | ICD2000-13 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2000/4/14(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | ビット線直接読み出し方式を用いたチャネル消去型1.8V単一電源32MビットNORフラッシュメモリ |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | A Channel Erasing 1.8V-Only 32Mb NOR Flash EEPROM with a Bit Line Direct Sensing Scheme |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | フラッシュメモリ / flash EEPROM |
キーワード(2)(和/英) | チャネル消去 / channel erasing |
キーワード(3)(和/英) | センスンプ / sense amplifier |
キーワード(4)(和/英) | ワード線昇圧 / word line boosted |
第 1 著者 氏名(和/英) | 高野 芳徳 / Y Takano |
第 1 著者 所属(和/英) | 東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
第 2 著者 氏名(和/英) | 梅沢 明 / A Umezawa |
第 2 著者 所属(和/英) | 東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
第 3 著者 氏名(和/英) | 丹沢 徹 / T Tanzawa |
第 3 著者 所属(和/英) | 東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
第 4 著者 氏名(和/英) | 田浦 忠行 / T Taura |
第 4 著者 所属(和/英) | 東芝 セミコンダクター社 メモリ事業部 Memory Division, Toshiba Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
第 5 著者 氏名(和/英) | 志賀 仁 / H Shiga |
第 5 著者 所属(和/英) | 東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
第 6 著者 氏名(和/英) | 宮葉 武史 / T Miyaba |
第 6 著者 所属(和/英) | 東芝マイクロエレクトロニクス 開発技術部 Advanced LSI Technology Development Department, Toshiba Microelectronics Corporation |
第 7 著者 氏名(和/英) | 松井 法晴 / M Matsui |
第 7 著者 所属(和/英) | 東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
第 8 著者 氏名(和/英) | 渡部 浩 / K Watanabe |
第 8 著者 所属(和/英) | 東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
第 9 著者 氏名(和/英) | 磯辺 和亜樹 / K Isobe |
第 9 著者 所属(和/英) | 東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部 System LSI Division, Toshiba Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
第 10 著者 氏名(和/英) | 北村 章太 / S Kitamura |
第 10 著者 所属(和/英) | 東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
第 11 著者 氏名(和/英) | 山田 誠司 / S Yamada |
第 11 著者 所属(和/英) | 東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
第 12 著者 氏名(和/英) | 斎藤 雅伸 / M Saito |
第 12 著者 所属(和/英) | 東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
第 13 著者 氏名(和/英) | 森 誠一 / S Mori |
第 13 著者 所属(和/英) | 東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
第 14 著者 氏名(和/英) | 渡辺 寿治 / T Watanabe |
第 14 著者 所属(和/英) | 東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
第 15 著者 氏名(和/英) | 渥美 滋 / S Atsumi |
第 15 著者 所属(和/英) | 東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
発表年月日 | 2000/4/14 |
資料番号 | ICD2000-13 |
巻番号(vol) | vol.100 |
号番号(no) | 6 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |