講演名 2000/1/21
拡張ロードプル法を用いた広負荷インピーダンス対応低歪み・高効率GaAs電力増幅器MMICの設計
石田 薫, 池田 光, 小杉 裕昭, 西嶋 将明, 上野 伴希,
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抄録(和) 従来のロードプル法は電力増幅器の設計に広く普及している。しかし、この方法は、50Ω負荷の条件に限定されたものであった。本稿では拡張したロードプル法を用いた、広範囲な負荷インピーダンスに対応した新しい高効率・低歪み電力増幅器設計手法を提案する。本手法では終段FETの最適出力整合条件を決定するために2つの負荷マップを用いる。この手法を用いて、負荷VSWR<3で低歪み・高効率なPHS用2段GaAs電力増幅器MMICを設計し、チップサイズ1×1.5mmのMMICを試作した。その結果、所望の負荷条件下で-55dBcという低い隣接チャネル漏洩電力を常に満足し、33%という電力付加効率を達成した。
抄録(英) The conventional load-pull method is commonly used for a power amplifier design. However, this method is only available in the limited condition of a fixed 50Ω load. In this paper, a new technique for a high efficiency and low distortion power amplifier design in wide range of load impedances is proposed. Two load-maps of output matching of FETs to determine the optimum output matching condition are required in this method in contrast with the conventional method. This manner can be applied at arbitrary output powers under the conditions of arbitrary load VSWRs. For the examination of validity of this method, a two-stage power amplifier for PHS is designed. It is fabricated into a GaAs power MMIC whose chip size is 1mm×1.5mm. As a result, high power added efficiency of 33% and low adjacent channel leakage powers of-55dBc within load VSWR≦3 is achieved as designed.
キーワード(和) 高周波電力増幅器 / GaAsFET / ロードプル法 / PHS / 低歪み増幅器
キーワード(英) Microwave power amplifier / GaAs FET / Load-pull / PHS / Low distortion amplifier
資料番号 ED99-289,MW99-213,ICD99-264
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2000/1/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 拡張ロードプル法を用いた広負荷インピーダンス対応低歪み・高効率GaAs電力増幅器MMICの設計
サブタイトル(和)
タイトル(英) A HIGH EFFICIENCY AND LOW DISTORTION GAAS POWER MMIC DESIGN IN THE WIDE LOAD IMPEDANCE RANGE BY EXTENDED USE OF LOAD-PULL METHOD
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 高周波電力増幅器 / Microwave power amplifier
キーワード(2)(和/英) GaAsFET / GaAs FET
キーワード(3)(和/英) ロードプル法 / Load-pull
キーワード(4)(和/英) PHS / PHS
キーワード(5)(和/英) 低歪み増幅器 / Low distortion amplifier
第 1 著者 氏名(和/英) 石田 薫 / Kaoru ISHIDA
第 1 著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
Matushita Elec.Ind.Co.
第 2 著者 氏名(和/英) 池田 光 / Hikaru IKEDA
第 2 著者 所属(和/英) 松下通信工業株式会社コミュニケーションシステム事業部
Matushita Comm.Ind.Co.
第 3 著者 氏名(和/英) 小杉 裕昭 / Hiroaki KOSUGI
第 3 著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
Matushita Elec.Ind.Co.
第 4 著者 氏名(和/英) 西嶋 将明 / Masaaki NISHIJIMA
第 4 著者 所属(和/英) 松下電子工業株式会社半導体デバイス研究センター
Matushita Electronics Corp.
第 5 著者 氏名(和/英) 上野 伴希 / Tomoki UWANO
第 5 著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社先端技術研究所
Matushita Elec.Ind.Co.
発表年月日 2000/1/21
資料番号 ED99-289,MW99-213,ICD99-264
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 561
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
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