講演名 2000/1/21
広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
HAU Gary, 西村 武史, 岩田 直高,
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抄録(和) 広い出力電力範囲で高効率特性を示す1.95GHzW-CDMA端末用パワーアンプを開発した。パワーアンプは高出力ヘテロ接合FETとそれの線形性を向上するためのMMICプリディストータからなる。プリディストータの装荷により、隣接チャネル漏洩電力(ACPR)-40dBc時のパワーアンプ出力電力(P_は25.5dBmから26.2dBmに、電力付加効率(PAE)は54.4%から57.4%にそれぞれ向上した。また、動作電圧の制御により、13dBmの低出力時にも47.7%の項率を得た。作製したパワーアンプは21dBの電力範囲に渡って40%以上の効率を示し、広いダイナミックレンジが必要なW-CDMA端末用に好適である。
抄録(英) A linearized power amplifier with high efficiency over wide output power range has been developed for 1.95 GHz wide-band CDMA handsets. An MMIC predistorter was incorporated into a heterojunction FET-based amplifier for improving the linearity and efficiency. Measured at an adjacent channel leakage power ratio (ACPR) of -40 dBc, the output power (P_) and power added efficiency (PAE) of the amplifier improve from 25.5 dBm and 54.4% to 26.2 dBm and 57.4% respectively after the use of predistorter under 3.5 V operation. With bias control, the linearized amplifier also shows an excellent low P_ (13 dBm) performance, achieving a PAE of 47.7% at the same ACPR level. The linearized amplifier achieves a PAE over 40% over an output power range of 21 dB, making it suitable for wide dynamic range W-CDMA handset application.
キーワード(和) W-CDMA / パワーアンプ / ヘテロ接合FET / 線形化 / 低歪 / プリディストータ
キーワード(英) W-CDMA / power amplifier / heterojunction FET / linearization / low distortion / predistortion
資料番号 ED99-286,MW99-210,ICD99-261
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2000/1/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
サブタイトル(和)
タイトル(英) A Linearized Heterojunction FET-Based Power Amplifier with High Efficiency over Wide Output Power Range for Wide-Band CDMA Handsets
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) W-CDMA / W-CDMA
キーワード(2)(和/英) パワーアンプ / power amplifier
キーワード(3)(和/英) ヘテロ接合FET / heterojunction FET
キーワード(4)(和/英) 線形化 / linearization
キーワード(5)(和/英) 低歪 / low distortion
キーワード(6)(和/英) プリディストータ / predistortion
第 1 著者 氏名(和/英) HAU Gary / Gary HAU
第 1 著者 所属(和/英) NEC関西エレクトロニクス研究所
Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation.
第 2 著者 氏名(和/英) 西村 武史 / Takeshi B. Nishimura
第 2 著者 所属(和/英) NEC関西エレクトロニクス研究所
Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation.
第 3 著者 氏名(和/英) 岩田 直高 / Naotaka Iwata
第 3 著者 所属(和/英) NEC関西エレクトロニクス研究所
Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation.
発表年月日 2000/1/21
資料番号 ED99-286,MW99-210,ICD99-261
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 561
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日