| 講演名 | 2000/1/21 W-CDMA 0.2 cc HBT高効率パワーアンプモジュール 宮澤 直行, 伊藤 秀和, 岩井 大介, 中舎 安宏, 宮下 工, 小原 史朗, 常信 和清, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 次世代の移動体通信方式として注目されているW-CDMA携帯端末向けにHBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)を用いた0.2cc増幅器モジュールを試作した結果について述べる。W-CDMAシステムは高速なデータ伝送速度と狭いチャネル間隔のため、PDCやIS-95などの第2世代方式に比較してより低い隣接チャネル漏洩電力を要求している。試作したモジュ-ルに高性能なInGaP / GaAs HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)を用い、2段増幅器のドライバー段とパワー段の歪み補償を行うことで、W-CDMA変調の出力電力28dBmにおいて隣接チャネル漏洩電力-40.8dBc、電力付加効率40.2%と良好な特性を得た。 |
| 抄録(英) | This paper describes 0.2cc HBT power amplifier module for W-CDMA systems which have been receiving lots of attention as the next generation mobile communication standard. The W-CDMA systems require lower adjacent channel leakage power than the 2nd generation systems such as PDC, IS-95, due to its high data transmission rate and tight space of the adjacent channel. With high performance InGaP / GaAs HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) and a phase distortion cancellation technique between driver stage and power stage in a two-stage amplifier, the module achieved a high PAE of 40.2% and a low ACP of -40.8 dBc at a 28 dBm output power for W-CDMA modulation scheme. |
| キーワード(和) | W-CDMA / 携帯端末 / HBT / InGaP / パワーアンプ / モジュール / 位相歪み |
| キーワード(英) | W-CDMA / Handset / HBT / InGaP / Amplifier / Module / Phase distortion |
| 資料番号 | ED99-285,MW99-209,ICD99-260 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 2000/1/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | W-CDMA 0.2 cc HBT高効率パワーアンプモジュール |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | W-CDMA 0.2cc HBT High-Efficiency Power Amplifier Module |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | W-CDMA / W-CDMA |
| キーワード(2)（和/英） | 携帯端末 / Handset |
| キーワード(3)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(4)（和/英） | InGaP / InGaP |
| キーワード(5)（和/英） | パワーアンプ / Amplifier |
| キーワード(6)（和/英） | モジュール / Module |
| キーワード(7)（和/英） | 位相歪み / Phase distortion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮澤 直行 / N. Miyazawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス Fujitsu Quantum Devices Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊藤 秀和 / H. Itoh |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス Fujitsu Quantum Devices Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩井 大介 / T. Iwai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中舎 安宏 / Y. Nakasha |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宮下 工 / T. Miyashita |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小原 史朗 / S. Ohara |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 常信 和清 / K. |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2000/1/21 |
| 資料番号 | ED99-285,MW99-209,ICD99-260 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 561 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |