| 講演名 | 2000/1/21 E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET 舘野 泰範, 高橋 英徳, 中舎 安宏, 長原 正樹, 五十嵐 武士, 常信 和清, 滝川 正彦, 深谷 潤, |
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| 抄録(和) | 新開発のエンハンスメント型FETチップを用いて、IMT-2000基地局用150W出力FETを開発した。2.2GHzにおいて飽和出力51.8dBm(150W), 線形利得12dBを達成した。また、2波入力時に、47dBm出力点において3次相互変調歪み-36dBc、その時の電力付加効率35%を得た。 |
| 抄録(英) | A 150 W power FET for IMT-2000 base stations has been developed. This FET combines four enhancement-mode (E-mode) FET chips newly developed and implemented in a package in a push-pull configuration. A saturation power of 51.8 dBm (150 W) and a 12 dB linear gain were achieved with this device at 2.2GHz. A third order intermodulation distortion (IM3) obtained at the average power of 47 dBm was as small as-36 dBc, providing a power added efficiency (PAE) of 35%. |
| キーワード(和) | 高出力FET / IMT-2000 / E-mode / プッシュプル / 低歪み |
| キーワード(英) | power FET / IMT-2000 / E-mode push-pull / low distortion |
| 資料番号 | ED99-283,MW99-207,ICD99-258 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2000/1/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 150 W E-mode GaAs Power FET with 35% PAE for IMT-2000 Base Station |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高出力FET / power FET |
| キーワード(2)（和/英） | IMT-2000 / IMT-2000 |
| キーワード(3)（和/英） | E-mode / E-mode push-pull |
| キーワード(4)（和/英） | プッシュプル / low distortion |
| キーワード(5)（和/英） | 低歪み |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 舘野 泰範 / Yasunori Tateno |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス株式会社 Fujitsu Quantum Devices Limited |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 英徳 / Hidenori Takahashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス株式会社 Fujitsu Quantum Devices Limited |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中舎 安宏 / Yasuhiro Nakasha |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Limited |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 長原 正樹 / Masaki Nagahara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス株式会社 Fujitsu Quantum Devices Limited |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 五十嵐 武士 / Takeshi Igarashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス株式会社 Fujitsu Quantum Devices Limited |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 常信 和清 / Kazukiyo Joshin |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Limited |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 滝川 正彦 / Masahiko Takikawa |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Limited |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 深谷 潤 / Jun Fukaya |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス株式会社 Fujitsu Quantum Devices Limited |
| 発表年月日 | 2000/1/21 |
| 資料番号 | ED99-283,MW99-207,ICD99-258 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 561 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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