講演名 2000/1/21
E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
舘野 泰範, 高橋 英徳, 中舎 安宏, 長原 正樹, 五十嵐 武士, 常信 和清, 滝川 正彦, 深谷 潤,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 新開発のエンハンスメント型FETチップを用いて、IMT-2000基地局用150W出力FETを開発した。2.2GHzにおいて飽和出力51.8dBm(150W), 線形利得12dBを達成した。また、2波入力時に、47dBm出力点において3次相互変調歪み-36dBc、その時の電力付加効率35%を得た。
抄録(英) A 150 W power FET for IMT-2000 base stations has been developed. This FET combines four enhancement-mode (E-mode) FET chips newly developed and implemented in a package in a push-pull configuration. A saturation power of 51.8 dBm (150 W) and a 12 dB linear gain were achieved with this device at 2.2GHz. A third order intermodulation distortion (IM3) obtained at the average power of 47 dBm was as small as-36 dBc, providing a power added efficiency (PAE) of 35%.
キーワード(和) 高出力FET / IMT-2000 / E-mode / プッシュプル / 低歪み
キーワード(英) power FET / IMT-2000 / E-mode push-pull / low distortion
資料番号 ED99-283,MW99-207,ICD99-258
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2000/1/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
サブタイトル(和)
タイトル(英) A 150 W E-mode GaAs Power FET with 35% PAE for IMT-2000 Base Station
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 高出力FET / power FET
キーワード(2)(和/英) IMT-2000 / IMT-2000
キーワード(3)(和/英) E-mode / E-mode push-pull
キーワード(4)(和/英) プッシュプル / low distortion
キーワード(5)(和/英) 低歪み
第 1 著者 氏名(和/英) 舘野 泰範 / Yasunori Tateno
第 1 著者 所属(和/英) 富士通カンタムデバイス株式会社
Fujitsu Quantum Devices Limited
第 2 著者 氏名(和/英) 高橋 英徳 / Hidenori Takahashi
第 2 著者 所属(和/英) 富士通カンタムデバイス株式会社
Fujitsu Quantum Devices Limited
第 3 著者 氏名(和/英) 中舎 安宏 / Yasuhiro Nakasha
第 3 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所
Fujitsu Laboratories Limited
第 4 著者 氏名(和/英) 長原 正樹 / Masaki Nagahara
第 4 著者 所属(和/英) 富士通カンタムデバイス株式会社
Fujitsu Quantum Devices Limited
第 5 著者 氏名(和/英) 五十嵐 武士 / Takeshi Igarashi
第 5 著者 所属(和/英) 富士通カンタムデバイス株式会社
Fujitsu Quantum Devices Limited
第 6 著者 氏名(和/英) 常信 和清 / Kazukiyo Joshin
第 6 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所
Fujitsu Laboratories Limited
第 7 著者 氏名(和/英) 滝川 正彦 / Masahiko Takikawa
第 7 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所
Fujitsu Laboratories Limited
第 8 著者 氏名(和/英) 深谷 潤 / Jun Fukaya
第 8 著者 所属(和/英) 富士通カンタムデバイス株式会社
Fujitsu Quantum Devices Limited
発表年月日 2000/1/21
資料番号 ED99-283,MW99-207,ICD99-258
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 561
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日