| 講演名 | 2000/1/21 W-CDMA基地局用200W MODFET 石田 秀俊, 横山 隆弘, 古川 秀利, 田中 毅, 森本 滋, 前田 昌宏, 太田 順道, 上田 大助, |
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| 抄録(和) | 飽和出力200Wを実現する基地局用高出力MODFETを開発した。ダブルヘテロ・ダブルドープMODFETにおいて、ゲート・ドレイン間距離を可変することにより耐圧を制御した。ドレイン電流の低下を引き起こす周波数分散を抑制するために埋込ゲート構造とした。作製されたデバイスは、バイアス条件Vds=14V、Idq=10Aにて、飽和出力200W、電力付加効率48.7%を示した。この飽和出力は、これまで報告されているGaAs系FETのなかで最大のものである。 |
| 抄録(英) | We have developed a novel GaAs-based MODFET with high breakdown voltage keeping high maximum drain current where double-recessed and offset gate structures are provided. This newly developed MODFET attained the output power of 200 W with a power-added efficiency of 48.7% at a supplying voltage of 14 V and a quiescent drain current of 10 A, which is the highest output power exibited by using GaAs based FET's ever reported. |
| キーワード(和) | GaAs / FET / 高出力 / 基地局 / 耐圧 / 周波数分散 |
| キーワード(英) | GaAs / FET / High Power / Base Station / Breakdown Voltage / Frequency Dispersion |
| 資料番号 | ED99-282,MW99-206,ICD99-257 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2000/1/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | W-CDMA基地局用200W MODFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 200W GaAs-Based MODFET Power Amplifier for W-CDMA Base Stations |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(3)（和/英） | 高出力 / High Power |
| キーワード(4)（和/英） | 基地局 / Base Station |
| キーワード(5)（和/英） | 耐圧 / Breakdown Voltage |
| キーワード(6)（和/英） | 周波数分散 / Frequency Dispersion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石田 秀俊 / H. Ishida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center Matsushita Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 横山 隆弘 / T. Yokoyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center Matsushita Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 古川 秀利 / H. Furukawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center Matsushita Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田中 毅 / T. Tanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center Matsushita Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 森本 滋 / S. Morimoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center Matsushita Electronics Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 前田 昌宏 / M. Maeda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center Matsushita Electronics Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 太田 順道 / Y. Ota |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center Matsushita Electronics Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 上田 大助 / D. Ueda |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center Matsushita Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 2000/1/21 |
| 資料番号 | ED99-282,MW99-206,ICD99-257 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 561 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |