| 講演名 | 2000/1/21 AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性 国弘 和明, 羽山 信幸, 笠原 健資, 高橋 裕之, 中山 達峰, 大野 泰夫, 松永 高治, 宮本 広信, 安藤 裕二, 葛原 正明, |
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| 抄録(和) | サファイヤ基板にMOCVDで成長したAlGaN / GaNヘテロエピ結晶を用いてHJFETを作製し、L帯におけるパワー特性を評価した。GaN FETのパワー特性の向上には、素子の放熱と電流ラグの抑制がきわめて重要である。今回、各フィンガー間の熱を均一化する目的で、ソース電極領域をエアーブリッジ配線で接続したFETを試作し、この構造がパワー特性の向上に有効であることを確認した。また、電流ラグとパワー特性の相関についても詳しく調べた。さらに、サファイヤ基板に比べて熱伝導性に優れるSiC基板を採用することによって、更なるパワー特性の向上が可能であり、V_d=22Vにおいて電力密度P_d=2.3W / mmと良好な特性を得た。 |
| 抄録(英) | We report on the L-band (1.95 GHz) power performance of AlGaN / GaN HJFETs fabricated on sapphire substrates. Self-heating and current-lag are serious problems to improve the power performance in AlGaN / GaN HJFETs. To minimize the thermal variation between source fingers, the source electrodes were connected by air bridge interconnections;this improved power performance. In addition, correlation between current-lag and output power was investigated in detail. Finally, the power density was significantly increased by using SiC substrate which has higher thermal conductivity than sapphire substrate. An AlGaN / GaN HJFET on SiC substrate delivered a power density of 2.3 W / mm at V_d=22V. |
| キーワード(和) | 窒化物半導体 / 高出力FET / マイクロ波 / 自己発熱 / 電流ラグ / SiC基板 |
| キーワード(英) | Nitride semiconductors / Power FET / Microwave / Self-heating / Current-lag / Sic substrate |
| 資料番号 | ED99-281,MW99-205,ICD99-256 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2000/1/21(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | L-band Power Perfoemance of AlGaN/GaN HJFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | 高出力FET / Power FET |
| キーワード(3)（和/英） | マイクロ波 / Microwave |
| キーワード(4)（和/英） | 自己発熱 / Self-heating |
| キーワード(5)（和/英） | 電流ラグ / Current-lag |
| キーワード(6)（和/英） | SiC基板 / Sic substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 国弘 和明 / K. Kunihiro |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 羽山 信幸 / N. Hayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 笠原 健資 / K. Kasahara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高橋 裕之 / Y. Takahashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中山 達峰 / T. Nakayama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 大野 泰夫 / Y. Ohno |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 松永 高治 / K. Matsunaga |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NEC関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 宮本 広信 / H. Miyamoto |
| 第 8 著者 所属（和/英） | NEC関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 安藤 裕二 / Y. Ando |
| 第 9 著者 所属（和/英） | NEC関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / M. Kuzuhara |
| 第 10 著者 所属（和/英） | NEC関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2000/1/21 |
| 資料番号 | ED99-281,MW99-205,ICD99-256 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 561 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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