| 講演名 | 2000/1/21 グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET 中田 健, 坂本 良二, 橋長 達也, 桑田 展周, 乙部 健二, 中島 成, |
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| 抄録(和) | 移動体通信基地局用PAの高性能化には、FETの高出力化、高効率化が必須である。今回、チャネルとして基板側に向かって指数関数的にキャリア濃度を増加させたグレーディッドパルスドープ構造を採用することにより、低セットドレイン電流(Iq)での出力特性(P1dB)の劣化を改善し、4%IdssのIqにおいて従来のアドバンスドパルスドープチャネルFETより9dB高いP1dBを得た。また、ゲート直下にAlGaAs CAP層を導入することで2端子ゲート耐圧(Vbd)を-25Vから-29Vへと改善し、3端子動作時のリーク電流も低減させ12V動作を可能とした。12V動作時にはPout=540mW / mm、η_ |
| 抄録(英) | High output power and high efficiency of FET is important for the base station of digital wireless communication systems. Then we have developed an AlGaAs hetero MESFET with a graded pulse doped channel. A graded pulse-doped channel that means active layer in which doping concentration increase exponentially toward buffer layer, improves output power at low quiescent drain current (Iq). At the condition of Iq=4%Idss, P1dB is increased by 9dB than our conventional MESFET. Breakdown voltage and gate leakage current are improved by insertion of AlGaAs-cap layer. The AlGaAs hetero MESFET shows high output power (540mW / mm) and high efficiency (η_ |
| キーワード(和) | AlGaAs / MESFET / 移動体通信 / 低歪み特性 / P1dB |
| キーワード(英) | AlGaAs / MESFET / Digital wireless communication / Low distortion / 1dB compression point |
| 資料番号 | ED99-280,MW99-204,ICD99-255 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2000/1/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An AlGaAs Hetero MESFET with a Graded Pulse Doped Channel |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaAs / AlGaAs |
| キーワード(2)（和/英） | MESFET / MESFET |
| キーワード(3)（和/英） | 移動体通信 / Digital wireless communication |
| キーワード(4)（和/英） | 低歪み特性 / Low distortion |
| キーワード(5)（和/英） | P1dB / 1dB compression point |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中田 健 / K. Nakata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電工オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D Labs., Sumitomo Electric Industry, LTD |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 坂本 良二 / R. Sakamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電工オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D Labs., Sumitomo Electric Industry, LTD |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橋長 達也 / T. Hashinaga |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電工オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D Labs., Sumitomo Electric Industry, LTD |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 桑田 展周 / N. Kuwata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電工オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D Labs., Sumitomo Electric Industry, LTD |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 乙部 健二 / K. Otobe |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友電工オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D Labs., Sumitomo Electric Industry, LTD |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中島 成 / S. Nakajima |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 住友電工オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D Labs., Sumitomo Electric Industry, LTD |
| 発表年月日 | 2000/1/21 |
| 資料番号 | ED99-280,MW99-204,ICD99-255 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 561 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |